| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第11-14页 |
| 1.1.1 课题研究背景 | 第11-14页 |
| 1.1.2 课题研究意义 | 第14页 |
| 1.2 应变硅技术国内外发展状况 | 第14-20页 |
| 1.2.1 硅片弯曲应力 | 第14-15页 |
| 1.2.2 MOS中的应变硅技术 | 第15-20页 |
| 1.2.3 国内应变硅技术研究现状 | 第20页 |
| 1.3 本论文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 硅/氮化硅系统应变的产生 | 第22-37页 |
| 2.1 氮化硅盖帽层应变技术 | 第22-25页 |
| 2.2 氮化硅薄膜中的残余应力 | 第25-31页 |
| 2.2.1 氮化硅薄膜中的热应力及有限元仿真 | 第25-29页 |
| 2.2.2 氮化硅薄膜的本征应力 | 第29-31页 |
| 2.3 退火在硅/氮化硅系统中引入应变模型 | 第31-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 深槽对CESL的应变调制机理分析研究 | 第37-52页 |
| 3.1 基于氮化硅CESL的大尺寸台面的应变硅结构 | 第37-41页 |
| 3.1.1 大尺寸单台面应变硅结构的应力强度与应力性质 | 第38-40页 |
| 3.1.2 大尺寸台阶形应变结构 | 第40-41页 |
| 3.2 利用深槽结构调制MOS沟道应力性质 | 第41-47页 |
| 3.2.1 器件结构 | 第41-43页 |
| 3.2.2 深槽应变MOS器件沟道应力仿真及分析 | 第43-47页 |
| 3.3 深槽结构应变NMOS电学性能研究 | 第47-51页 |
| 3.3.1 深槽结构应变NMOS的电子迁移率 | 第48-49页 |
| 3.3.2 深槽结构应变NMOS的转移与输出特性 | 第49-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 深槽结构应变MOS器件的实验研究 | 第52-61页 |
| 4.1 硅的压阻系数 | 第52-54页 |
| 4.2 深槽结构MOS器件设计 | 第54-60页 |
| 4.2.1 器件设计的几点考虑 | 第54-55页 |
| 4.2.2 器件参数设计 | 第55-58页 |
| 4.2.3 实验工艺 | 第58-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第69-70页 |