| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-14页 |
| 1.1 InAs/AlSb HEMT 的优势和应用前景 | 第6-8页 |
| 1.2 InAs/AlSb HEMT 的研究进展 | 第8-11页 |
| 1.3 本论文的内容和安排 | 第11-14页 |
| 第二章 InAs/AlSb HEMT 器件材料基础 | 第14-28页 |
| 2.1 InAs/AlSb HEMT 器件材料的结构 | 第14-18页 |
| 2.2 InAs/AlSb HEMT 器件材料的生长 | 第18-19页 |
| 2.3 InAs/AlSb HEMT 器件材料测试与分析 | 第19-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第三章 高电子迁移率晶体管器件原理 | 第28-34页 |
| 3.1 异质结与 2DEG 的成因 | 第28-29页 |
| 3.2 HEMT 器件原理 | 第29-31页 |
| 3.3 器件特性仿真 | 第31-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 InAs/AlSb HEMT 器件工艺探索 | 第34-48页 |
| 4.1 InAs/AlSb HEMT 器件的基本工艺流程 | 第34-35页 |
| 4.2 InAs/AlSb HEMT 器件台面隔离 | 第35-38页 |
| 4.3 InAs/AlSb HEMT 器件欧姆接触 | 第38-42页 |
| 4.4 InAs/AlSb HEMT 器件肖特基栅 | 第42-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章 总结与展望 | 第48-50页 |
| 致谢 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
