| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-16页 |
| 1.1 空间辐射环境 | 第6-9页 |
| 1.2 InP HBT 器件单粒子效应研究的必要性 | 第9-11页 |
| 1.3 单粒子效应研究现状 | 第11-15页 |
| 1.4 本论文内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 半导体器件单粒子辐照过程及作用原理 | 第16-24页 |
| 2.1 重离子电荷淀积方式 | 第17-18页 |
| 2.2 InP HBT 中单粒子瞬态形成机理 | 第18-20页 |
| 2.3 数字电路的单粒子翻转机制 | 第20-22页 |
| 2.4 单粒子效应机理研究中的不足 | 第22-23页 |
| 2.5 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 InP HBT 单粒子效应仿真 | 第24-44页 |
| 3.1 仿真软件和环境介绍 | 第24-25页 |
| 3.2 InP HBT 的结构和主要特性 | 第25-27页 |
| 3.3 单粒子效应仿真的实现 | 第27-29页 |
| 3.4 InP HBT 单粒子效应 | 第29-42页 |
| 3.4.1 入射位置的影响 | 第33-35页 |
| 3.4.2 入射半径的影响 | 第35-37页 |
| 3.4.3 入射深度的影响 | 第37-38页 |
| 3.4.4 入射能量的影响 | 第38-41页 |
| 3.4.5 不同偏置下的单粒子效应 | 第41-42页 |
| 3.5 本章小结 | 第42-44页 |
| 第四章 交互式 InP HBT 数字电路单粒子效应仿真方法研究 | 第44-54页 |
| 4.1 混合模拟仿真 | 第44-45页 |
| 4.2 模拟脉冲源研究 | 第45-51页 |
| 4.2.1 矩形注入脉冲模型 | 第45-46页 |
| 4.2.2 双指数注入脉冲模型 | 第46页 |
| 4.2.3 瞬态注入脉冲模型 | 第46-51页 |
| 4.3 与其他方法比较 | 第51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-54页 |
| 第五章 结束语 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-60页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第60-61页 |