| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| 1.1 新型2维半导体材料简介 | 第9页 |
| 1.2 SnO半导体材料的研究进展 | 第9-14页 |
| 1.2.1 SnO半导体材料的性质 | 第9-12页 |
| 1.2.2 SnO半导体材料的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 本论文的研究内容及创新点 | 第14-16页 |
| 1.3.1 本论文的研究内容 | 第14-15页 |
| 1.3.2 本论文的创新点 | 第15-16页 |
| 2 二维SnO及Cu掺杂SnO薄膜的制备与特性研究 | 第16-28页 |
| 2.1 二维SnO及Cu掺杂SnO薄膜的制备 | 第16-18页 |
| 2.1.1 薄膜衬底的制备 | 第16页 |
| 2.1.2 二维SnO及Cu掺杂SnO薄膜的制备 | 第16-18页 |
| 2.2 二维SnO及Cu掺杂SnO薄膜的测试分析 | 第18-27页 |
| 2.2.1 薄膜厚度测试分析 | 第18-19页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌的SEM分析 | 第19-21页 |
| 2.2.3 薄膜XRD衍射图谱分析 | 第21-24页 |
| 2.2.4 EDS介绍及薄膜EDS能量图谱分析 | 第24-27页 |
| 2.3 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 二维SnO及Cu掺杂SnO薄膜型半导体FETs的电子学特性研究 | 第28-46页 |
| 3.1 二维SnO及Cu掺杂SnO薄膜型半导体FETs底栅的电子学特性研究 | 第28-36页 |
| 3.1.1 底栅型场效应晶体管的结构及制备 | 第28-29页 |
| 3.1.2 底栅器件的参数选取 | 第29-30页 |
| 3.1.3 底栅型SnO场效应晶体管的测试与分析 | 第30-36页 |
| 3.2 二维SnO及Cu掺杂SnO薄膜型半导体FETs顶栅的电子学特性研究 | 第36-44页 |
| 3.2.1 顶栅型场效应晶体管的结构及制备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 顶栅器件的参数选取 | 第37-38页 |
| 3.2.3 顶栅型SnO半导体场效应晶体管的测试与分析 | 第38-44页 |
| 3.3 本章小结 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53页 |
