| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-33页 |
| 1.1 Ⅲ族氮化物半导体材料及AlGaN/GaN异质结的研究意义 | 第21-25页 |
| 1.2 InGaN沟道异质结构的研究意义 | 第25-27页 |
| 1.3 InGaN沟道异质结及相关电子器件的研究进展 | 第27-31页 |
| 1.4 本文的研究内容和安排 | 第31-33页 |
| 第二章 Ⅲ族氮化物MOCVD生长及表征 | 第33-47页 |
| 2.1 GaN材料制备的发展及常用方法介绍 | 第33-35页 |
| 2.1.1 氢化物气相外延 | 第33页 |
| 2.1.2 分子束外延 | 第33-34页 |
| 2.1.3 蒸发和溅射 | 第34页 |
| 2.1.4 金属有机物化学气相淀积 | 第34-35页 |
| 2.2 MOCVD生长GaN体材料介绍 | 第35-37页 |
| 2.3 Ⅲ族氮化物半导体研究主要测试表征方法 | 第37-45页 |
| 2.3.1 高分辨率X射线衍射分析 | 第37-39页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第39-40页 |
| 2.3.3 霍尔效应测试 | 第40-42页 |
| 2.3.4 电容-电压测试 | 第42页 |
| 2.3.5 光致发光分析 | 第42-43页 |
| 2.3.6 透射电子显微镜 | 第43-44页 |
| 2.3.7 二次离子质谱分析 | 第44页 |
| 2.3.8 X射线光电子能谱 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 基于MOCVD方法的InGaN生长研究 | 第47-59页 |
| 3.1 InGaN材料的特殊性及广泛应用 | 第47-49页 |
| 3.1.1 InGaN材料的特殊性 | 第47-48页 |
| 3.1.2 InGaN材料的广泛应用 | 第48-49页 |
| 3.2 MOCVD生长InGaN薄膜的困难性 | 第49-50页 |
| 3.3 脉冲法MOCVD生长InGaN薄膜研究 | 第50-57页 |
| 3.3.1 脉冲法MOCVD基本原理及特点分析 | 第50-52页 |
| 3.3.2 脉冲法与连续法MOCVD生长InGaN薄膜对比 | 第52-54页 |
| 3.3.3 不同温度下脉冲法生长InGaN薄膜特性研究 | 第54-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 高质量AlGaN/InGaN异质结生长优化研究 | 第59-77页 |
| 4.1 InGaN沟道异质结构的优势、研究进展及存在的问题 | 第59-61页 |
| 4.2 脉冲法MOCVD制备高质量AlGaN/InGaN异质结 | 第61-63页 |
| 4.3 沟道生长温度对AlGaN/InGaN异质结特性的影响 | 第63-69页 |
| 4.3.1 MOCVD系统可控条件分析 | 第63页 |
| 4.3.2 InGaN沟道生长温度优化 | 第63-69页 |
| 4.4 沟道厚度对AlGaN/InGaN异质结特性的影响 | 第69-73页 |
| 4.4.1 GaN基板上生长InGaN薄膜临界厚度研究 | 第69-70页 |
| 4.4.2 应变沟道和弛豫沟道的选择 | 第70-71页 |
| 4.4.3 InGaN沟道厚度优化 | 第71-73页 |
| 4.5 高质量AlGaN/InGaN异质结外延成果 | 第73-76页 |
| 4.5.1 异质结良好的界面和表面形貌 | 第73-74页 |
| 4.5.2 AlGaN/InGaN异质结优越的电学特性 | 第74-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 高质量InAlN/InGaN异质结生长优化研究 | 第77-97页 |
| 5.1 InAlN势垒的优势 | 第77-78页 |
| 5.2 近晶格匹配InAlN/InGaN异质结生长及优化 | 第78-89页 |
| 5.2.1 近晶格匹配InAlN/InGaN异质结生长 | 第78-79页 |
| 5.2.2 超薄AlN插入层的意义 | 第79-81页 |
| 5.2.3 InAlN/InGaN异质结插入层优化 | 第81-85页 |
| 5.2.4 高质量InAlN/InGaN异质结特性表征 | 第85-89页 |
| 5.3 InAlN/InGaN/InAlN/InGaN双沟道异质结制备及表征 | 第89-96页 |
| 5.3.1 双沟道异质结构的优势及研究进展 | 第89-90页 |
| 5.3.2 InAlN/InGaN/InAlN/InGaN双沟道异质结生长 | 第90-91页 |
| 5.3.3 InAlN/InGaN/InAlN/InGaN双沟道异质结特性表征 | 第91-96页 |
| 5.4 本章小结 | 第96-97页 |
| 第六章 InGaN沟道异质结HEMT器件研究 | 第97-107页 |
| 6.1 AlGaN/InGaNHEMT器件制备工艺流程及关键问题讨论 | 第97-102页 |
| 6.1.1 样品表面清洗 | 第98页 |
| 6.1.2 台面隔离 | 第98-99页 |
| 6.1.3 欧姆接触和肖特基接触 | 第99-101页 |
| 6.1.4 表面钝化 | 第101页 |
| 6.1.5 开孔及金属互连 | 第101-102页 |
| 6.2 AlGaN/InGaNHEMT器件特性表征及分析 | 第102-105页 |
| 6.2.1 室温直流特性表征分析 | 第102-103页 |
| 6.2.2 高温直流特性表征分析 | 第103-104页 |
| 6.2.3 交流小信号特性表征分析 | 第104-105页 |
| 6.3 本章小结 | 第105-107页 |
| 第七章 总结与展望 | 第107-111页 |
| 7.1 本文主要结论 | 第107-108页 |
| 7.2 未来的工作 | 第108-111页 |
| 参考文献 | 第111-123页 |
| 致谢 | 第123-125页 |
| 作者简介 | 第125-127页 |
