| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| 1.1 ZnO 基纳米晶体管的研究现状 | 第9-18页 |
| 1.1.1 ZnO 一维纳米结构的制备 | 第9-10页 |
| 1.1.2 纳米场效应晶体管的制备技术发展 | 第10-15页 |
| 1.1.3 ZnO 纳米场效应晶体管的功能开发 | 第15-18页 |
| 1.2 论文研究内容及意义 | 第18-19页 |
| 第二章 ZnO 纳米带 FET 的阈值电压稳定性 | 第19-30页 |
| 2.1 ZnO 纳米带 FET 的制备方法 | 第19-21页 |
| 2.2 连续测试引起的 FET 阈值电压移动 | 第21-23页 |
| 2.3 正栅压对阈值电压移动的影响 | 第23-25页 |
| 2.4 电荷束缚的发生机制 | 第25-28页 |
| 2.5 阈值电压不稳定性的消除 | 第28-29页 |
| 2.6 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 ZnO 纳米带和纳米线 FET 的迁移率对比研究 | 第30-37页 |
| 3.1 纳米带和纳米线 FET 迁移率差异 | 第30-33页 |
| 3.2 有限元数值方法修正栅极电容 | 第33-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 ZnO 纳米带场效应迁移率的各向异性 | 第37-44页 |
| 4.1 不同生长方向的纳米带 | 第37-38页 |
| 4.2 ZnO 场效应迁移率的各向异性 | 第38-40页 |
| 4.3 场效应迁移率各向异性的机制 | 第40-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 在学期间公开发表论文及申请专利 | 第51页 |