首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--场效应器件论文

GaN HEMT等离子体波非共振响应基础研究

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第9-15页
    1.1 THz 技术第9-12页
        1.1.1 THz 波特点第9-10页
        1.1.2 THz 波的应用第10-12页
    1.2 等离子波器件的研究现状第12-13页
    1.3 本文的研究内容第13-15页
第二章 场效应晶体管中的等离子体波产生机理第15-27页
    2.1 两种场效应管简介第15-17页
        2.1.1 MOSFET 简介第15-16页
        2.1.2 HEMT 简介第16-17页
        2.1.3 二维电子气第17页
    2.2 等离子体波基础理论第17-23页
        2.2.1 等离子体波概念第17-18页
        2.2.2 等离子体振荡第18-20页
        2.2.3 浅水流体第20-23页
    2.3 对以上结论的一些说明第23-26页
        2.3.1 流体近似的基础问题第23-24页
        2.3.2 对波速的疑问第24-25页
        2.3.3 关于波动增强的猜想第25-26页
    2.4 小结第26-27页
第三章 等离子体波 HEMT在 THz 辐射下的响应第27-49页
    3.1 光响应的 MOSFET 器件第27-30页
    3.2 等离子波器件在 THz 非共振探测下的电压响应第30-46页
        3.2.1 方程与边界条件第31-34页
        3.2.2 求解沟道振荡第34-38页
        3.2.3 响应的求解第38-43页
        3.2.4 响应的最大值第43-45页
        3.2.5 一个作为对照的结果第45-46页
    3.3 小结第46-49页
第四章 MATLAB 建模与仿真第49-67页
    4.1 对等离子体波本身的一些猜想第49-51页
    4.2 MATLAB 仿真程序第51-53页
    4.3 器件响应第53-54页
    4.4 一些猜想和验证第54-60页
    4.5 一个额外的结果第60页
    4.6 对整个仿真过程中一些问题的说明第60-65页
        4.6.1 一个更合理的初始条件第60-61页
        4.6.2 关于出现的常数解第61-63页
        4.6.3 由边界条件得到的猜想第63-64页
        4.6.4 提高精度第64-65页
        4.6.5 关于测量响应第65页
    4.7 小结第65-67页
第五章 总结与展望第67-71页
    5.1 总结第67-69页
    5.2 个人的一些看法第69-71页
致谢第71-73页
参考文献第73-75页

论文共75页,点击 下载论文
上一篇:规整性碳纳米管条纹沟道铁电场效应晶体管的制备与表征
下一篇:我国艺术体操个人项目器械技术动作选编与运用的现状分析