| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 SOI 技术 | 第9-20页 |
| 1.2.1 SOI 材料的制备 | 第9-11页 |
| 1.2.2 SOI 场效应晶体管 | 第11-12页 |
| 1.2.3 SOI 器件与体硅器件的比较 | 第12-15页 |
| 1.2.4 总剂量辐射效应 | 第15-20页 |
| 1.3 本论文的研究意义和主要内容 | 第20-21页 |
| 第2章 0.2 μm PD SOI 器件总剂量辐射效应 | 第21-34页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 测试器件及实验描述 | 第21-22页 |
| 2.3 辐射偏置对 SOI 器件总剂量效应的影响 | 第22-26页 |
| 2.4 器件尺寸对总剂量辐照效应的影响 | 第26-33页 |
| 2.4.1 短沟道器件总剂量辐照效应 | 第28-31页 |
| 2.4.2 窄沟道器件总剂量辐照效应 | 第31-33页 |
| 2.5 小结 | 第33-34页 |
| 第3章 SOI 材料的 Pseudo-MOS 方法电学性能表征 | 第34-44页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 Pseudo-MOS 样品制备、测试原理及解析模型 | 第34-38页 |
| 3.3 测试参数及样品规格对 Pseudo-MOS 电学特性的影响 | 第38-41页 |
| 3.4 采用 Pseudo-MOS 电学表征评估 SOI 材料的抗辐照能力 | 第41-42页 |
| 3.5 小结 | 第42-44页 |
| 第4章 PD SOI 材料的改性加固工艺及总剂量辐照效应研究 | 第44-57页 |
| 4.1 引言 | 第44页 |
| 4.2 硅离子注入抑制 SOI 材料的总剂量效应机理 | 第44-46页 |
| 4.3 硅离子直接注入工艺加固 SOI 材料及总剂量辐照实验 | 第46-49页 |
| 4.4 多次离子注入多次退火工艺加固 SOI 材料及总剂量辐照实验 | 第49-53页 |
| 4.5 先注入后键合工艺加固 SOI 材料及总剂量辐照实验 | 第53-56页 |
| 4.6 小结 | 第56-57页 |
| 第5章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 5.1 论文总结 | 第57页 |
| 5.2 工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读学位期间发表论文目录 | 第63-64页 |
| 个人简历 | 第64页 |
