| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 第三代半导体GaN | 第11-15页 |
| 1.2 AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管 | 第15-17页 |
| 1.3 铁电材料LiNbO_3 | 第17-18页 |
| 1.4 铁电/半导体集成结构 | 第18-19页 |
| 1.5 论文选题方案及结构安排 | 第19-21页 |
| 第二章 实验方法 | 第21-32页 |
| 2.1 LN薄膜的制备方法 | 第21-22页 |
| 2.2 X射线衍射仪(XRD) | 第22-24页 |
| 2.3 原子力显微镜(AFM) | 第24-25页 |
| 2.4 电学性能表征原理 | 第25-28页 |
| 2.4.1 源漏电极欧姆接触 | 第25-26页 |
| 2.4.2 LN薄膜铁电性能测试 | 第26-27页 |
| 2.4.3 电流-电压（I-V）性能测试 | 第27-28页 |
| 2.4.4 电容-电压（C-V）性能测试 | 第28页 |
| 2.5 光刻工艺及基本流程 | 第28-32页 |
| 第三章 GAN衬底上LN薄膜的生长研究与性能测试 | 第32-47页 |
| 3.1 LN薄膜最佳生长工艺参数的探索 | 第32-41页 |
| 3.1.1 氧分压对LN薄膜生长的影响 | 第33-36页 |
| 3.1.2 生长温度对LN薄膜生长的影响 | 第36-39页 |
| 3.1.3 LN薄膜厚度对LN薄膜质量的影响 | 第39-41页 |
| 3.2 LN薄膜性能测试 | 第41-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 HEMT制作流程与电学性能测试 | 第47-64页 |
| 4.1 HEMT制作流程 | 第47-57页 |
| 4.1.1 HEMT结构的选取 | 第47-49页 |
| 4.1.2 欧姆电极制备 | 第49-53页 |
| 4.1.3 栅极图形化 | 第53-57页 |
| 4.2 HEMT电学性能测试 | 第57-62页 |
| 4.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第69-70页 |