| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-8页 |
| 1.2 RF LDMOS 发展历程及研究动态 | 第8-9页 |
| 1.3 本课题研究意义 | 第9页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第9-11页 |
| 第二章 射频 LDMOS 功率器件基本理论 | 第11-23页 |
| 2.1 射频 LDMOS 器件介绍 | 第11-13页 |
| 2.1.1 LDMOS 结构与特点 | 第11-12页 |
| 2.1.2 基于 CMOS 工艺的设计与改进 | 第12-13页 |
| 2.2 射频 LDMOS 器件参数 | 第13-18页 |
| 2.2.1 直流参数 | 第13-14页 |
| 2.2.2 射频参数 | 第14-16页 |
| 2.2.3 寄生电容特性 | 第16-18页 |
| 2.3 射频 LDMOS 功率器件的封装 | 第18-21页 |
| 2.3.1 射频器件封装形式介绍 | 第18-19页 |
| 2.3.2 封装对器件性能的影响 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 射频 LDMOS 功率器件负载牵引测试 | 第23-35页 |
| 3.1 负载牵引技术介绍 | 第23-28页 |
| 3.1.1 无源负载牵引系统 | 第23-26页 |
| 3.1.2 实时无源负载牵引系统 | 第26页 |
| 3.1.3 有源负载牵引系统 | 第26-27页 |
| 3.1.4 本文中采用的负载牵引系统 | 第27-28页 |
| 3.2 射频 LDMOS 功率器件负载牵引测试结果 | 第28-32页 |
| 3.2.1 940MHz 器件测试结果 | 第28-30页 |
| 3.2.2 2GHz 器件测试结果 | 第30-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-35页 |
| 第四章 阻抗变换概述 | 第35-49页 |
| 4.1 阻抗匹配 | 第35-40页 |
| 4.1.1 散射参量 | 第35-36页 |
| 4.1.2 smith 圆图 | 第36-39页 |
| 4.1.3 品质因数 | 第39-40页 |
| 4.2 阻抗变换原理 | 第40-42页 |
| 4.3 宽带匹配 | 第42-48页 |
| 4.3.1 低通滤波网络 | 第42-45页 |
| 4.3.2 高通滤波网络 | 第45-47页 |
| 4.3.3 带通滤波网络 | 第47-48页 |
| 4.4 本章小节 | 第48-49页 |
| 第五章 RF LDMOS 内匹配技术研究 | 第49-65页 |
| 5.1 内匹配介绍 | 第49-53页 |
| 5.1.1 内匹配目的 | 第49-50页 |
| 5.1.2 几种典型的内匹配结构 | 第50-52页 |
| 5.1.3 内匹配设计原则 | 第52-53页 |
| 5.2 内匹配元件 | 第53-58页 |
| 5.2.1 内匹配技术的键合线仿真与实现 | 第53-56页 |
| 5.2.2 内匹配技术的电容设计 | 第56-58页 |
| 5.3 基于 S 参数的内匹配设计 | 第58-63页 |
| 5.3.1 基于 S 参数的器件参数的提取与估算 | 第58-60页 |
| 5.3.2 基于 S 参数的内匹配设计实例 | 第60-63页 |
| 5.3.3 内匹配研究方向 | 第63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 结束语 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-72页 |