| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 GaN 基半导体器件的优势及研究意义 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN HEMT 器件的研究进展与存在的问题 | 第11-13页 |
| 1.2.1 GaN HEMT 器件的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 GaN HEMT 器件存在的问题 | 第12-13页 |
| 1.3 AlGaN/GaN MOS-HEMT 的研究及发展 | 第13-15页 |
| 1.4 研究内容与安排 | 第15-18页 |
| 第二章 双异质结 MOS HEMT 器件制备过程 | 第18-34页 |
| 2.1 极化理论 | 第18-20页 |
| 2.2 双异质材料及其生长 | 第20-22页 |
| 2.3 MOS HEMT 器件的工艺流程 | 第22-28页 |
| 2.3.1 样片清洗 | 第22页 |
| 2.3.2 欧姆接触 | 第22-24页 |
| 2.3.3 台面隔离 | 第24-25页 |
| 2.3.4 表面钝化 | 第25页 |
| 2.3.5 槽栅刻蚀 | 第25-26页 |
| 2.3.6 栅介质层沉积 | 第26页 |
| 2.3.7 栅金属蒸发 | 第26-27页 |
| 2.3.8 Si3N4保护钝化与金属互连 | 第27-28页 |
| 2.4 栅介质材料的选择及其生长 | 第28-32页 |
| 2.4.1 栅介质的选择和 Al2O3的优缺点 | 第28-29页 |
| 2.4.2 ALD 淀积原理与 Al2O3介质层的淀积 | 第29-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 双异质结 MOS HEMT 器件的高场可靠性研究 | 第34-48页 |
| 3.1 高场应力退化机制 | 第34-36页 |
| 3.2 AlGaN/GaN MOS HEMT 器件初测以及应力测试方案 | 第36-38页 |
| 3.2.1 AlGaN/GaN MOS HEMT 器件初测 | 第36-37页 |
| 3.2.2 应力测试方案 | 第37-38页 |
| 3.3 恒定应力-退化实验 | 第38-43页 |
| 3.3.1 开态应力 | 第38-40页 |
| 3.3.2 关态应力 | 第40-43页 |
| 3.4 阶梯应力-退化实验 | 第43-47页 |
| 3.4.1 开态阶梯应力 | 第43-44页 |
| 3.4.2 关态阶梯应力 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 双异质结 MOS HEMT 器件温度特性研究 | 第48-58页 |
| 4.1 直流特性 | 第48-50页 |
| 4.2 欧姆特性 | 第50-51页 |
| 4.3 栅漏电特性 | 第51-57页 |
| 4.3.1 正向栅漏电机制研究 | 第51-53页 |
| 4.3.2 反向栅漏电机制研究 | 第53-57页 |
| 4.4 本章总结 | 第57-58页 |
| 第五章 结束语 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 攻读硕士期间的研究成果和参加的科研项目 | 第68-69页 |
