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太赫兹波段GaN基类HEMT平面耿氏二极管的研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
符号对照表第15-17页
缩略语对照表第17-20页
第一章 绪论第20-24页
    1.1 研究背景第20-22页
    1.2 本论文研究工作和安排第22-24页
第二章 太赫兹技术以及耿氏二极管的进展及理论第24-54页
    2.1 太赫兹技术研究背景第24-28页
        2.1.1 太赫兹波的定义及特点第24-26页
        2.1.2 太赫兹波的产生第26-28页
    2.2 耿氏二极管的发展进程第28-33页
        2.2.1 耿氏效应的发现第28-29页
        2.2.2 材料,电路及耿氏器件应用的研究第29-31页
        2.2.3 耿氏二极管的商业化及其他方面的发展第31页
        2.2.4 耿氏二极管的新要求和挑战第31-33页
    2.3 平面耿氏二极管的介绍第33-42页
        2.3.1 平面耿氏二极管的优势第33-34页
        2.3.2 自开关二极管(SSD)第34-36页
        2.3.3 异质结沟槽二极管第36-38页
        2.3.4 常见平面器件中耿氏不稳定性第38-39页
        2.3.5 GaAs类HEMT平面耿氏二极管的发展第39-42页
    2.4 耿氏畴形成的过程第42-44页
    2.5 GaN材料特性第44-46页
    2.6 器件建模和仿真第46-52页
        2.6.1 仿真器简介第46-48页
        2.6.2 漂移扩散的输运模型第48-49页
        2.6.3 能量平衡输运模型第49-52页
    2.7 本章小结第52-54页
第三章 GaN基HEMT平面耿氏二极管中的多畴现象和调制第54-78页
    3.1 GaN HEMT中的耿氏效应第54-62页
    3.2 AlGaN/GaN类平面耿氏二极管的多畴研究第62-76页
        3.2.1 耿氏畴的基本理论第62-66页
        3.2.2 多畴现象的理论基础第66-67页
        3.2.3 结构参数第67-68页
        3.2.4 自发极化和压电极化的操作第68-69页
        3.2.5 速场关系第69-71页
        3.2.6 结构参数计算结果与分析讨论第71-76页
    3.3 本章小结第76-78页
第四章 复合电极超短沟道类HEMT平面耿氏二极管的研究第78-94页
    4.1 欧姆接触和肖特基接触第79页
    4.2 分析方法和物理模型第79-83页
    4.3 复合阳极的影响第83-89页
        4.3.1 不同肖特基长度的影响第83-86页
        4.3.2 表面施主陷阱的影响第86-89页
    4.4 复合阴极的影响第89-91页
    4.5 本章小结第91-94页
第五章 GaN基类HEMT平面耿氏二极管通过凹槽结构调节多畴和谐波信号第94-104页
    5.1 器件结构和仿真方法第94-96页
    5.2 不同凹槽数的影响第96-102页
    5.3 本章小结第102-104页
第六章 GaN基多沟道平面耿氏二极管功率增强特性的研究第104-114页
    6.1 仿真方法和物理模型第105-106页
    6.2 结构和讨论第106-112页
    6.3 本章小结第112-114页
第七章 结论和展望第114-118页
    7.1 研究结论第114-115页
    7.2 研究展望第115-118页
参考文献第118-134页
致谢第134-136页
作者简介第136-139页

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