| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第15-17页 |
| 缩略语对照表 | 第17-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-24页 |
| 1.1 研究背景 | 第20-22页 |
| 1.2 本论文研究工作和安排 | 第22-24页 |
| 第二章 太赫兹技术以及耿氏二极管的进展及理论 | 第24-54页 |
| 2.1 太赫兹技术研究背景 | 第24-28页 |
| 2.1.1 太赫兹波的定义及特点 | 第24-26页 |
| 2.1.2 太赫兹波的产生 | 第26-28页 |
| 2.2 耿氏二极管的发展进程 | 第28-33页 |
| 2.2.1 耿氏效应的发现 | 第28-29页 |
| 2.2.2 材料，电路及耿氏器件应用的研究 | 第29-31页 |
| 2.2.3 耿氏二极管的商业化及其他方面的发展 | 第31页 |
| 2.2.4 耿氏二极管的新要求和挑战 | 第31-33页 |
| 2.3 平面耿氏二极管的介绍 | 第33-42页 |
| 2.3.1 平面耿氏二极管的优势 | 第33-34页 |
| 2.3.2 自开关二极管(SSD) | 第34-36页 |
| 2.3.3 异质结沟槽二极管 | 第36-38页 |
| 2.3.4 常见平面器件中耿氏不稳定性 | 第38-39页 |
| 2.3.5 GaAs类HEMT平面耿氏二极管的发展 | 第39-42页 |
| 2.4 耿氏畴形成的过程 | 第42-44页 |
| 2.5 GaN材料特性 | 第44-46页 |
| 2.6 器件建模和仿真 | 第46-52页 |
| 2.6.1 仿真器简介 | 第46-48页 |
| 2.6.2 漂移扩散的输运模型 | 第48-49页 |
| 2.6.3 能量平衡输运模型 | 第49-52页 |
| 2.7 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 GaN基HEMT平面耿氏二极管中的多畴现象和调制 | 第54-78页 |
| 3.1 GaN HEMT中的耿氏效应 | 第54-62页 |
| 3.2 AlGaN/GaN类平面耿氏二极管的多畴研究 | 第62-76页 |
| 3.2.1 耿氏畴的基本理论 | 第62-66页 |
| 3.2.2 多畴现象的理论基础 | 第66-67页 |
| 3.2.3 结构参数 | 第67-68页 |
| 3.2.4 自发极化和压电极化的操作 | 第68-69页 |
| 3.2.5 速场关系 | 第69-71页 |
| 3.2.6 结构参数计算结果与分析讨论 | 第71-76页 |
| 3.3 本章小结 | 第76-78页 |
| 第四章 复合电极超短沟道类HEMT平面耿氏二极管的研究 | 第78-94页 |
| 4.1 欧姆接触和肖特基接触 | 第79页 |
| 4.2 分析方法和物理模型 | 第79-83页 |
| 4.3 复合阳极的影响 | 第83-89页 |
| 4.3.1 不同肖特基长度的影响 | 第83-86页 |
| 4.3.2 表面施主陷阱的影响 | 第86-89页 |
| 4.4 复合阴极的影响 | 第89-91页 |
| 4.5 本章小结 | 第91-94页 |
| 第五章 GaN基类HEMT平面耿氏二极管通过凹槽结构调节多畴和谐波信号 | 第94-104页 |
| 5.1 器件结构和仿真方法 | 第94-96页 |
| 5.2 不同凹槽数的影响 | 第96-102页 |
| 5.3 本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 GaN基多沟道平面耿氏二极管功率增强特性的研究 | 第104-114页 |
| 6.1 仿真方法和物理模型 | 第105-106页 |
| 6.2 结构和讨论 | 第106-112页 |
| 6.3 本章小结 | 第112-114页 |
| 第七章 结论和展望 | 第114-118页 |
| 7.1 研究结论 | 第114-115页 |
| 7.2 研究展望 | 第115-118页 |
| 参考文献 | 第118-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 作者简介 | 第136-139页 |
