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集成电路栅介质TDDB失效预警电路设计

摘要第3-4页
Abstract第4页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-13页
    1.1 研究背景第7-9页
    1.2 国内外技术发展现状第9-12页
        1.2.1 集成电路栅介质 TDDB 的研究第9-10页
        1.2.2 集成电路 PHM 技术的研究与挑战第10-12页
    1.3 本课题的来源及主要研究任务第12-13页
第二章 栅介质 TDDB 失效机制及 PHM 技术方法第13-22页
    2.1 栅介质 TDDB 失效机制第13-17页
        2.1.1 栅介质 SiO2的性质第13页
        2.1.2 Si-SiO2系统内的电荷第13-14页
        2.1.3 栅介质 TDDB 物理模型第14-17页
    2.2 故障预测及健康管理(PHM)技术方法第17-21页
        2.2.1 PHM 技术介绍第17-19页
        2.2.2 PHM 技术方法第19页
        2.2.3 集成电路 PHM 技术设计流程第19-21页
    2.3 本章小结第21-22页
第三章 TDDB 失效预警电路原理和各模块电路的实现第22-40页
    3.1 TDDB 失效预警电路原理第22-24页
        3.1.1 基于预兆单元法的集成电路 PHM 技术原理第22-23页
        3.1.2 TDDB 失效预警电路原理框图第23-24页
    3.2 互不交叠的时钟模块电路实现第24-27页
        3.2.1 传输门 TG第24-25页
        3.2.2 反相器 INV第25-26页
        3.2.3 与非门 NAND第26页
        3.2.4 互不交叠的时钟模块电路实现第26-27页
    3.3 应力电压产生模块的电路设计第27-36页
        3.3.1 应力电压产生模块选择第27-30页
        3.3.2 新型电荷泵设计第30-36页
    3.5 降压模块的电路设计第36-37页
    3.6 输出模块的电路实现第37-39页
        3.6.1 比较器第37-38页
        3.6.2 锁存器第38-39页
    3.7 本章小结第39-40页
第四章 TDDB 失效预警电路总体电路图及仿真第40-51页
    4.1 整体电路设计第40-41页
    4.2 互不交叠的时钟模块仿真第41页
    4.3 应力电压产生模块仿真第41-45页
        4.3.1 启动电压第42页
        4.3.2 节点电压第42-43页
        4.3.3 输出电容 Cout的影响第43-44页
        4.3.4 容差影响第44-45页
    4.4 降压模块仿真第45-46页
        4.4.1 降压模块对电荷泵输出电压的影响第45页
        4.4.2 降压模块节点电压仿真第45-46页
    4.5 输出模块仿真第46-47页
    4.6 击穿失效仿真第47-49页
    4.7 TDDB 失效预警电路性能参数第49-50页
    4.8 本章小结第50-51页
第五章 总结与展望第51-53页
    5.1 总结第51页
    5.2 展望第51-53页
参考文献第53-58页
硕士期间发表的论文第58-59页
致谢第59页

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