| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究发展状况 | 第8-10页 |
| 1.3 论文主要工作及章节安排 | 第10-13页 |
| 第二章 硅锗材料物理属性与 FINFET 器件物理 | 第13-37页 |
| 2.1 硅锗材料特性及硅锗器件 | 第13-19页 |
| 2.1.1 硅锗材料物理属性 | 第13-16页 |
| 2.1.2 应力引入机制与硅锗器件结构 | 第16-19页 |
| 2.2 硅锗选择性外延工艺 | 第19-24页 |
| 2.2.1 选择性硅锗外延 | 第19-21页 |
| 2.2.2 选择性外延工艺因素对硅锗层特性的影响 | 第21-24页 |
| 2.3 FINFET 器件性能增强机制 | 第24-35页 |
| 2.3.1 FINFET 器件结构特点 | 第24-27页 |
| 2.3.2 FINFET 器件性能与结构相关性 | 第27-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第三章 体硅 PMOS FINFET 结构与性能相关性研究 | 第37-53页 |
| 3.1 FIN 角度与器件性能相关性 | 第37-41页 |
| 3.2 FIN 高度与器件性能相关性 | 第41-45页 |
| 3.3 FIN 厚度与器件性能相关性 | 第45-46页 |
| 3.4 体硅 FINFET 器件结构设计 | 第46-48页 |
| 3.5 体硅 FINFET 工艺设计与性能仿真 | 第48-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 硅锗沟道 PMOS FINFET 结构与性能相关性研究 | 第53-69页 |
| 4.1 硅锗层锗浓度与器件性能相关性 | 第53-56页 |
| 4.2 硅锗层厚度与器件性能相关性 | 第56-61页 |
| 4.3 硅帽层与器件性能相关性 | 第61-64页 |
| 4.4 硅锗沟道 PMOS FINFET 工艺设计与性能仿真 | 第64-68页 |
| 4.5 本章小结 | 第68-69页 |
| 第五章 结论与展望 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 参考文献 | 第73-77页 |
