| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 晶体管型铁电存储器的简介 | 第9页 |
| 1.2 FeFET 的概述 | 第9-12页 |
| 1.2.1 铁电材料的简介及应用 | 第9-10页 |
| 1.2.2 FeFET 的研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 FET 的简介 | 第12-15页 |
| 1.3.1 FET 的器件结构及分类 | 第12-13页 |
| 1.3.2 FET 的工作原理 | 第13-14页 |
| 1.3.3 FET 的电学性能参数 | 第14-15页 |
| 1.4 碳纳米管的概述 | 第15-18页 |
| 1.4.1 碳纳米管的分类及性质 | 第15-16页 |
| 1.4.2 碳纳米管在 FET 中的应用 | 第16-18页 |
| 1.5 本论文的选题思路和主要研究内容 | 第18-20页 |
| 1.5.1 选题思路 | 第18-19页 |
| 1.5.2 主要研究内容 | 第19-20页 |
| 第2章 BNT 铁电薄膜的制备及表征 | 第20-29页 |
| 2.1 BNT 薄膜的制备 | 第20-24页 |
| 2.1.1 实验原料及设备 | 第20-22页 |
| 2.1.2 BNT 前驱体溶液的配制 | 第22-24页 |
| 2.1.3 BNT 薄膜的形成 | 第24页 |
| 2.2 BNT 薄膜的微观结构及电学性能 | 第24-28页 |
| 2.2.1 BNT 薄膜的厚度表征 | 第24-25页 |
| 2.2.2 BNT 薄膜的晶体结构 | 第25-26页 |
| 2.2.3 BNT 薄膜的表面形貌 | 第26页 |
| 2.2.4 BNT 薄膜的铁电性能 | 第26-27页 |
| 2.2.5 BNT 薄膜的 I-V 特性 | 第27页 |
| 2.2.6 BNT 薄膜的介电性能 | 第27-28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 规整性 MWCNT 条纹阵列的制备 | 第29-37页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 MWCNT 条纹阵列的制备 | 第29-32页 |
| 3.2.1 实验方法与设备 | 第29-30页 |
| 3.2.2 MWCNT 前驱体溶液的配制 | 第30页 |
| 3.2.3 MWCNT 条纹阵列的制备 | 第30-31页 |
| 3.2.4 MWCNT 条纹阵列的形貌表征 | 第31-32页 |
| 3.3 实验条件对规整性 MWCNT 条纹阵列形貌的影响 | 第32-35页 |
| 3.3.1 溶液浓度对 MWCNT 条纹阵列形貌的影响 | 第32-33页 |
| 3.3.2 自组装温度对 MWCNT 条纹阵列形貌的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.3 基片放置角度对 MWCNT 条纹阵列形貌的影响 | 第34-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-37页 |
| 第4章 MWCNT/BNT/Si-FeFET 的制备及性能分析 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 MWCNT/BNT/Si–FeFET 的制备 | 第37-38页 |
| 4.2.1 MWCNT/BNT/Si-FeFET 的结构 | 第37-38页 |
| 4.2.2 MWCNT/BNT/Si-FeFET 的制备过程 | 第38页 |
| 4.3 MWCNT/BNT/Si–FeFET 的性能分析 | 第38-45页 |
| 4.3.1 MWCNT/BNT/Si–FeFET 的输出特性 | 第39-41页 |
| 4.3.2 MWCNT/BNT/Si–FeFET 的转移特性 | 第41-42页 |
| 4.3.3 MWCNT/BNT/Si–FeFET 的亚阈值摆幅 | 第42-43页 |
| 4.3.4 MWCNT/BNT/Si–FeFET 的沟道迁移率 | 第43-44页 |
| 4.3.5 MWCNT/BNT/Si–FeFET 的存储窗口 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 总结与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 论文总结 | 第47-48页 |
| 5.2 研究展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第57页 |
