PBDFTDTBT有机场效应晶体管制备及光敏性研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 有机场效应晶体管 | 第10-17页 |
| 1.1.1 OFET结构及原理 | 第10-13页 |
| 1.1.2 OFET材料 | 第13-17页 |
| 1.2 有机场效应晶体管的发展 | 第17-19页 |
| 1.3 苯并二呋喃(BDF)基有机半导体的发展 | 第19-21页 |
| 1.4 本文的主要内容和结构 | 第21-23页 |
| 2 OFET制备及表征 | 第23-29页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第23-24页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第23页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第23-24页 |
| 2.2 器件制备 | 第24-26页 |
| 2.2.1 衬底清洗和处理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 有机薄膜制备 | 第25页 |
| 2.2.3 电极制备 | 第25-26页 |
| 2.3 测试原理和方法 | 第26-29页 |
| 2.3.1 紫外-可见分光光度计 | 第26-27页 |
| 2.3.2 台阶仪 | 第27页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第27页 |
| 2.3.4 半导体参数分析仪 | 第27-29页 |
| 3 基于PBDFTDTBT场效应晶体管研究 | 第29-38页 |
| 3.1 聚合物制备 | 第29-31页 |
| 3.1.1 PBDFTDTBT合成 | 第29-30页 |
| 3.1.2 PBDFTDTBT材料光学性能分析 | 第30-31页 |
| 3.2 PBDFTDTBT晶体管制备和表征 | 第31-36页 |
| 3.2.1 OFET制备 | 第31页 |
| 3.2.2 衬底处理对半导体层的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.3 晶体管性能分析 | 第33-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 4 PBDFTDTBT场效应晶体管的光敏性研究 | 第38-47页 |
| 4.1 有机光敏晶体管结构及原理 | 第38-39页 |
| 4.2 不同光照下器件转移特性变化 | 第39-44页 |
| 4.3 不同光照下器件输出特性变化 | 第44-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 5 总结和展望 | 第47-49页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第47-48页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-55页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
