| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第12-13页 |
| 1.3 课题研究意义 | 第13-14页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 高压C-SenseFET的基本理论 | 第15-26页 |
| 2.1 高压C-SenseFET的基本结构与工作机理 | 第15-17页 |
| 2.2 C-SenseFET的击穿特性 | 第17-18页 |
| 2.3 C-SenseFET的导通特性 | 第18-23页 |
| 2.3.1 线性区（采样区） | 第18-19页 |
| 2.3.2 饱和区（充电区） | 第19-23页 |
| 2.4 高压C-SenseFET的应用设计 | 第23-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 高压C-SenseFET的温度特性 | 第26-42页 |
| 3.1 热量的传递和热仿真 | 第26-28页 |
| 3.2 C-SenseFET的流片设计 | 第28-32页 |
| 3.2.1 C-SenseFET器件的流片设计 | 第28-31页 |
| 3.2.2 C-SenseFET验证电路的流片设计 | 第31-32页 |
| 3.3 C-SenseFET器件的温度实验 | 第32-37页 |
| 3.3.1 实验方法 | 第32-33页 |
| 3.3.2 实验测试结果与分析 | 第33-37页 |
| 3.4 温度特性仿真分析 | 第37-41页 |
| 3.4.1 C-SenseFET器件的阻断特性的温度仿真 | 第38-39页 |
| 3.4.2 C-SenseFET器件的导通特性的温度仿真 | 第39-41页 |
| 3.5 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 高压C-SenseFET的优化设计 | 第42-65页 |
| 4.1 高压C-SenseFET的优化设计分析 | 第42-43页 |
| 4.2 几种恒流结构 | 第43-61页 |
| 4.2.1 常规JFET结构 | 第43-47页 |
| 4.2.2 单边缓变栅结构 | 第47-51页 |
| 4.2.3 双边缓变栅结构 | 第51-56页 |
| 4.2.4 其他恒流新结构 | 第56-61页 |
| 4.3 改善恒流特性的理论分析 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70-71页 |
