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基于非等温能量平衡模型的PHEMT热特性数值研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5-6页
图表清单第10-13页
注释表第13-14页
缩略词第14-15页
第一章 绪论第15-19页
    1.1 研究目的与研究现状第15-18页
    1.2 本文的主要工作及内容安排第18-19页
第二章 砷化镓材料及其 PHEMT 器件工作原理第19-26页
    2.1 砷化镓材料及器件工艺第19-21页
        2.1.1 砷化镓材料的发展与应用第19-20页
        2.1.2 砷化镓器件生产的工艺流程第20-21页
    2.2 砷化镓场效应晶体管的开发历程第21-23页
    2.3 GaAs PHEMT 工作机制及发热原理第23-25页
        2.3.1 GaAs PHEMT 工作机制第23-25页
        2.3.2 GaAs PHEMT 发热原理第25页
    2.4 本章小结第25-26页
第三章 GaAs PHEMT 器件热数值模拟模型第26-38页
    3.1 基本半导体方程第26-29页
        3.1.1 泊松方程第27页
        3.1.2 连续性方程第27页
        3.1.3 能流方程第27页
        3.1.4 非等温能量平衡输运方程第27-28页
        3.1.5 晶格热方程第28-29页
    3.2 基本物理模型第29-35页
        3.2.1 迁移率模型第30页
        3.2.2 载流子产生复合模型第30-31页
        3.2.3 能带变窄模型第31-32页
        3.2.4 俄歇复合模型第32页
        3.2.5 碰撞电离模型第32-33页
        3.2.6 热导率模型第33-35页
    3.3 功函数第35-37页
        3.3.1 功函数的定义第35页
        3.3.2 理想金属—半导体接触特性与衬底、功函数的关系第35-36页
        3.3.3 模拟时功函数大小的确认第36-37页
    3.4 本章小结第37-38页
第四章 GaAs PHEMT 器件热特性数值模拟第38-55页
    4.1 商用软件 TCAD 介绍第38-39页
    4.2 GaAs PHEMT 热特性数值模拟模型及结构第39-40页
    4.3 GaAs PHEMT 热特性数值模拟结果及分析第40-51页
        4.3.1 NEB 和 DD 模型电流电压特性的比较第41页
        4.3.2 栅压对器件电特性和热特性的影响第41-43页
        4.3.3 指数对器件温度以及电流电压特性的影响第43-44页
        4.3.4 衬底温度对器件的温度以及电流电压特性的影响第44-46页
        4.3.5 对流换热系数对的器件温度的影响第46-47页
        4.3.6 栅长对器件的温度以及电流电压特性的影响第47-49页
        4.3.7 器件横向一维的电子温度、电场强度及电子浓度的比较第49页
        4.3.8 上边界非绝热条件分析第49-51页
    4.4 器件表面热点位置及温度分布的试验验证第51-53页
        4.4.1 试验对象第51页
        4.4.2 试验条件第51页
        4.4.3 试验结果与模拟结果的比较第51-53页
    4.5 冷却条件对器件结温的影响第53-54页
    4.6 本章小结第54-55页
第五章 GaAs PHEMT 器件的热阻分析第55-60页
    5.1 传统热阻的定义第55页
    5.2 火积耗散热阻第55-57页
        5.2.1 火积的定义第55-56页
        5.2.2 火积的耗散第56页
        5.2.3 火积耗散热阻第56-57页
    5.3 PHEMT 器件的火积耗散热阻分析第57-59页
        5.3.1 不同环境温度下器件火积耗散热阻和传统热阻比较第57-58页
        5.3.2 不同对流换热系数下器件火积耗散热阻分析第58-59页
    5.4 本章小结第59-60页
第六章 总结与展望第60-61页
    6.1 总结第60页
    6.2 展望第60-61页
参考文献第61-66页
致谢第66-67页
在学期间的研究成果及发表的学术论文第67-68页
附录第68页

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