| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-16页 |
| 缩略语对照表 | 第16-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-40页 |
| 1.1 横向LDMOS高压功率器件技术概述 | 第21-22页 |
| 1.2 GaN基功率器件技术概述 | 第22-24页 |
| 1.3 优化横向器件性能的几种技术 | 第24-35页 |
| 1.3.1 场板技术 | 第24-26页 |
| 1.3.2 场限环技术 | 第26-27页 |
| 1.3.3 RESURF技术 | 第27-29页 |
| 1.3.4 横向变掺杂技术 | 第29-30页 |
| 1.3.5 横向变厚度技术 | 第30页 |
| 1.3.6 电场调制技术 | 第30-33页 |
| 1.3.7 介质层电场增强技术 | 第33-35页 |
| 1.4 横向功率器件耐压模型研究进展 | 第35-37页 |
| 1.5 本文的研究内容和安排 | 第37-40页 |
| 第二章 图形化埋层SOI器件的二维解析模型 | 第40-86页 |
| 2.1 图形化埋层SOI高压器件的结构与模型 | 第40-47页 |
| 2.1.1 图形化埋层SOI高压器件的结构特点 | 第40-41页 |
| 2.1.2 图形化埋层SOI高压器件的二维模型 | 第41-47页 |
| 2.2 单面阶梯SOILDMOS器件的模型与器件性能研究 | 第47-62页 |
| 2.2.1 单面阶梯SOILDMOS器件电场与电势分布模型 | 第47-51页 |
| 2.2.2 单面阶梯SOILDMOS器件电场与电势分布趋势 | 第51-56页 |
| 2.2.3 单面阶梯SOILDMOS器件的击穿模型 | 第56-58页 |
| 2.2.4 单面阶梯SOILDMOS器件的击穿特性 | 第58-62页 |
| 2.3 双面阶梯SOILDMOS器件模型与器件性能研究 | 第62-84页 |
| 2.3.1 双面阶梯SOILDMOS器件电场与电势分布模型 | 第62-69页 |
| 2.3.2 双面阶梯SOILDMOS器件电场与电势分布趋势 | 第69-76页 |
| 2.3.3 双面阶梯SOILDMOS器件的击穿模型 | 第76-80页 |
| 2.3.4 双面阶梯SOILDMOS器件击穿特性 | 第80-84页 |
| 2.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 第三章 具有电场调制效应阶梯AlGaN外延层AlGaN/GaNHEMT | 第86-110页 |
| 3.1 阶梯AlGaN外延层AlGaN/GaNHEMT器件的解析模型 | 第87-97页 |
| 3.1.1 阶梯AlGaN外延层AlGaN/GaNHEMT器件模型建立 | 第87-92页 |
| 3.1.2 阶梯AlGaN外延层AlGaN/GaNHEMT器件模型验证 | 第92-97页 |
| 3.2 阶梯AlGaN外延层AlGaN/GaNHEMT器件的实验研究 | 第97-108页 |
| 3.2.1 器件结构以及关键工艺 | 第97-104页 |
| 3.2.2 器件测试结果及分析 | 第104-108页 |
| 3.3 本章小结 | 第108-110页 |
| 第四章 具有辅助耗尽层的横向双扩散晶体管 | 第110-124页 |
| 4.1 具有辅助耗尽衬底层的LDMOS结构 | 第110-123页 |
| 4.1.1 器件结构及原理 | 第110-111页 |
| 4.1.2 器件原理分析 | 第111-115页 |
| 4.1.3 器件结构参数对器件性能的影响 | 第115-119页 |
| 4.1.4 器件制备技术 | 第119-123页 |
| 4.2 本章小结 | 第123-124页 |
| 第五章 总结与展望 | 第124-128页 |
| 5.1 总结 | 第124-125页 |
| 5.2 展望 | 第125-128页 |
| 参考文献 | 第128-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 作者简介 | 第140-143页 |
