摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-20页 |
1.1 铁电材料及铁电存储器 | 第9-14页 |
1.1.1 铁电体及其分类 | 第9-11页 |
1.1.2 铁电薄膜材料的应用 | 第11-12页 |
1.1.3 铁电存储器 | 第12-14页 |
1.2 辐射环境及辐射效应 | 第14-16页 |
1.2.1 辐射环境 | 第14-15页 |
1.2.2 基本辐射效应 | 第15页 |
1.2.3 铁电薄膜及铁电存储器的电离辐射研究现状 | 第15-16页 |
1.3 漏电流的产生与传导机制 | 第16-19页 |
1.3.1 空间电荷限制电流机制 | 第16-17页 |
1.3.2 肖特基发射机制 | 第17-18页 |
1.3.3 欧姆导电机制 | 第18页 |
1.3.4 遂穿机制 | 第18页 |
1.3.5 Pool-Frenkel 机制 | 第18-19页 |
1.4 本文选题依据和研究内容 | 第19-20页 |
1.4.1 选题依据 | 第19页 |
1.4.2 研究内容 | 第19-20页 |
第2章 电离辐射效应对铁电薄膜漏电流特性的影响 | 第20-28页 |
2.1 引言 | 第20页 |
2.2 电离辐射效应下的空间电荷限制电流理论 | 第20-23页 |
2.2.1 与辐射剂量相关的介电常数 | 第20-21页 |
2.2.2 电离辐射效应下的载流子迁移率 | 第21-22页 |
2.2.3 电离辐射效应下的空间电荷限制电流模型 | 第22-23页 |
2.3 模型参数的确定与验证 | 第23-24页 |
2.3.1 参数的确定 | 第23页 |
2.3.2 模型的验证 | 第23-24页 |
2.4 不同电离辐射条件对 BST 薄膜漏电流的影响 | 第24-27页 |
2.4.1 电离总剂量对 BST 薄膜漏电流的影响 | 第24-26页 |
2.4.2 电离剂量率对 BST 薄膜漏电流的影响 | 第26-27页 |
2.5 本章小结 | 第27-28页 |
第3章 电离辐射效应对 MFIS 型铁电场效应晶体管电学性能的影响 | 第28-40页 |
3.1 引言 | 第28-29页 |
3.2 铁电层陷阱电荷的形成及推导 | 第29-31页 |
3.2.1 铁电层陷阱电荷的形成 | 第29-30页 |
3.2.2 电离辐射效应诱导的铁电层陷阱电荷 | 第30-31页 |
3.3 迁移率模型及 Lue 电滞回线模型 | 第31-32页 |
3.3.1 反型层迁移率模型 | 第31页 |
3.3.2 描述铁电层极化的 Hang-Ting Lue 模型 | 第31-32页 |
3.4 电离辐射下的 MFIS-FET 模型 | 第32-34页 |
3.5 参数的确定 | 第34-35页 |
3.6 电离辐射总剂量对 MFIS-FET 电学性能的影响 | 第35-39页 |
3.6.1 电离辐射总剂量对 C-V 特性的影响 | 第35-36页 |
3.6.2 电离辐射总剂量对漏电流特性的影响 | 第36-38页 |
3.6.3 电离辐射总剂量对铁电层极化的影响 | 第38-39页 |
3.7 本章小结 | 第39-40页 |
第4章 电离辐射效应对存在界面层的铁电场效应晶体管(MFIOS-FET)电学性能的 影响 | 第40-53页 |
4.1 引言 | 第40-41页 |
4.2 界面层的类型及界面陷阱电荷的推导 | 第41-42页 |
4.2.1 界面层的类型 | 第41页 |
4.2.2 电离辐射诱导的界面陷阱电荷的推导 | 第41-42页 |
4.3 电离辐射下的 MFIOS-FET 模型 | 第42-44页 |
4.4 参数的确定 | 第44-45页 |
4.5 电离辐射总剂量对 MFIOS-FET 电学性能的影响 | 第45-48页 |
4.5.1 电离辐射总剂量对 C-V 特性的影响 | 第45-46页 |
4.5.2 电离辐射总剂量对漏电流特性的影响 | 第46-47页 |
4.5.3 电离辐射总剂量对铁电层极化特性的影响 | 第47-48页 |
4.6 界面层厚度对电离辐射下 MFIOS-FET 电学性能的影响 | 第48-52页 |
4.6.1 界面层厚度对 C-V 特性的影响 | 第48-49页 |
4.6.2 界面层厚度对漏电流特性的影响 | 第49-50页 |
4.6.3 界面层厚度对铁电层极化特性的影响 | 第50-52页 |
4.7 本章小结 | 第52-53页 |
第5章 总结与展望 | 第53-55页 |
5.1 工作总结 | 第53-54页 |
5.2 工作展望 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
攻读硕士学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第61页 |