| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 符号对照表 | 第14-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-37页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第19-22页 |
| 1.2 国内外研究趋势和现状 | 第22-33页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第23-30页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第30-33页 |
| 1.3 论文的研究目的、内容与结构安排 | 第33-37页 |
| 1.3.1 研究目的 | 第33页 |
| 1.3.2 研究方法 | 第33-35页 |
| 1.3.3 主要内容及结构安排 | 第35-37页 |
| 第二章 电子系统的电磁损伤效应与机理 | 第37-55页 |
| 2.1 典型的电磁脉冲 | 第38-45页 |
| 2.1.1 核电磁脉冲 | 第38-41页 |
| 2.1.2 UWB电磁脉冲 | 第41-44页 |
| 2.1.3 HPM电磁脉冲 | 第44-45页 |
| 2.2 电子系统电磁脉冲的耦合作用及效应分类 | 第45-48页 |
| 2.2.1 电磁脉冲与电子系统的耦合作用 | 第45-46页 |
| 2.2.2 电子系统的电磁脉冲效应分类 | 第46-48页 |
| 2.3 电磁脉冲防护技术 | 第48-49页 |
| 2.4 半导体器件HPEM效应及失效机理 | 第49-54页 |
| 2.4.2 金属化烧毁 | 第50-51页 |
| 2.4.3 结二次击穿 | 第51-53页 |
| 2.4.4 介质层击穿 | 第53-54页 |
| 2.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第三章 AlGaAs/GaAsHEMTHPM损伤效应机理 | 第55-75页 |
| 3.1 AlGaAs/GaAs基本理论 | 第55-57页 |
| 3.2 AlGaAs/GaAs仿真模型构建 | 第57-61页 |
| 3.2.1 Sentaurus-TCAD | 第57页 |
| 3.2.2 AlGaAs/GaAspHEMT结构模型 | 第57-59页 |
| 3.2.3 数值模型及参数修正 | 第59-61页 |
| 3.3 GaAspHEMT基本特性仿真 | 第61-62页 |
| 3.4 Ku波段GaAspHEMTHPM损伤效应 | 第62-70页 |
| 3.4.1 器件端特性结果分析 | 第65-66页 |
| 3.4.2 温度分布随时间变化 | 第66-68页 |
| 3.4.3 工作状态对HEMT损伤效应的影响 | 第68-70页 |
| 3.5 L波段GaAspHEMTHPM损伤效应 | 第70-73页 |
| 3.5.2 电流密度随时间变化 | 第72-73页 |
| 3.5.3 电场强度随时间的变化 | 第73页 |
| 3.6 本章小结 | 第73-75页 |
| 第四章 GaAs低噪声放大器效应实验 | 第75-87页 |
| 4.1 实验方案 | 第75-76页 |
| 4.2 损伤判据 | 第76页 |
| 4.3 实验分析与讨论 | 第76-86页 |
| 4.3.1 Ku波段GaAsHEMTLNA实验研究 | 第76-82页 |
| 4.3.2 L波段GaAsHEMTLNA实验研究 | 第82-86页 |
| 4.4 本章小结 | 第86-87页 |
| 第五章 GaNHEMTEMP损伤效应与机理 | 第87-99页 |
| 5.1 GaNHEMT基本结构与特性 | 第87-90页 |
| 5.1.1 GaN材料优势 | 第87-88页 |
| 5.1.2 GaN材料的极化效应 | 第88-89页 |
| 5.1.3 GaNHEMT基本工作原理 | 第89-90页 |
| 5.2 GaN仿真模型构建 | 第90-92页 |
| 5.3 EMP作用下GaNHEMT的损伤机理 | 第92-96页 |
| 5.3.1 电场强度随时间的变化 | 第93-94页 |
| 5.3.2 电流密度随时间的变化 | 第94-95页 |
| 5.3.3 峰值温度随时间的变化 | 第95-96页 |
| 5.4 GaNHEMTEMP损伤的脉宽效应 | 第96-97页 |
| 5.5 本章小结 | 第97-99页 |
| 第六章 GaNHEMT耐压机理研究 | 第99-109页 |
| 6.1 AlGaN/GaNHEMT的表面电场 | 第99-101页 |
| 6.2 GaN帽层对表面电场的影响 | 第101-105页 |
| 6.2.1 GaN/AlGaN/GaNHEMT直流特性 | 第102-103页 |
| 6.2.2 GaN/AlGaN/GaNHEMT耐压机理 | 第103-104页 |
| 6.2.3 GaN帽层掺杂浓度对击穿电压的影响 | 第104-105页 |
| 6.3 带有局域P埋层的HEMT结构设计与电场优化 | 第105-107页 |
| 6.4 本章小结 | 第107-109页 |
| 第七章 总结与展望 | 第109-113页 |
| 7.1 本文总结 | 第109-110页 |
| 7.2 工作展望 | 第110-113页 |
| 参考文献 | 第113-125页 |
| 致谢 | 第125-127页 |
| 作者简介 | 第127-129页 |
