当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
场效应器件
分子自组装在有机场效应晶体管中的应用
EMCCD电子倍增增益校正方法研究
新型低阻通道三维横向MOS研究
基于两层聚合物栅绝缘层的高性能柔性OFETs机械柔韧性及其热稳定性的研究
碳基场效应管的隧穿电流及其对逻辑电路的影响
二维类超结LDMOS新结构研究
基于纳米器件构建的CMOS逻辑电路设计研究
温度对NMOSFET单粒子瞬态电荷收集影响规律数值模拟
含TTF单元的小分子有机场效应晶体管材料的合成及其性能研究
电导增强型高压功率器件研究
S波段射频LDMOS晶体管的设计与实验研究
新型Nanowire器件的测试、建模与仿真
光电双控智能有机存储材料的设计及其光电性质
SOI LIGBT负阻效应研究
CMOS带隙基准电压源的研究与设计
电离辐射对MFIS型铁电场效应晶体管电学性能的影响
利用线阵CCD进行实时测量的研究
MOS器件界面态特性研究及其可靠性分析
硅基MOS器件温度特性分析及实现高温的工艺参数设计
基于酞菁铜的有机薄膜场效应晶体管的研究
外部电场对有机半导体电荷传输性能影响的理论研究
超结VDMOS体二极管反向恢复鲁棒性研究及优化
高维持电压ESD防护器件设计及抗闩锁研究
MOSFET管芯温度估算
车用电机控制器中MOSFET的应用研究
硅基AlInGaN/AIN/GaN HEMT外延生长与器件工艺研究
曲面自组装分子的合成及表征
毫米波CMOS晶体管建模技术研究
高压4H-SiC MOSFET器件设计与可靠性研究
具有部分超结的SOI横向高压器件研究
碳化硅槽栅MOSFET器件设计及其特性研究
3.3kV级4H-SiC MOSFET研究
基于多次离子注入工艺的DMOS器件设计
场效应晶体管中对太赫兹信号响应的研究
低压Trench MOSFET的辐射效应研究
高压增强型GaN HFET机理与新结构研究
混合晶向沟道应变TFET研究与结构设计
新型低功耗横向功率MOSFET研究
面向14nm节点PMOSFET的EOT减小方法研究
具有槽形结构的应变LDMOS器件研究
基于二维半导体的纳米晶体管仿真与设计
导电SrTiO3表面上的非晶HfO2栅极制备及其电性能研究
新型功率器件关键技术的研究
内线转移CCD新型遮光工艺技术研究
纳米MOSFET的弱反区毫米波噪声模型研究及应用
厚膜SOI基高压横向IGBT器件研究
二维半导体双栅MOSFET的解析建模及其应用
CMOS太赫兹双频探测器及线阵性能研究
一种低导通电阻高压LDMOS器件研究
具有大注入效应增强的高速LIGBT的研究
上一页
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
下一页