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辐射剂量率效应对CMOS像感器工作性能的影响研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-19页
    1.1 课题背景及研究意义第8-10页
    1.2 CMOS 像感器发展及应用状况第10-12页
        1.2.1 CMOS 像感器的发展第10-11页
        1.2.2 CMOS 像感器的空间应用状况第11-12页
    1.3 CMOS 像感器的空间辐射效应研究第12-17页
        1.3.1 国外研究进展第13-15页
        1.3.2 国内研究进展第15-16页
        1.3.3 关于剂量率效应的研究第16-17页
    1.4 文献综述及分析第17-18页
    1.5 本文主要研究内容第18-19页
第2章 空间辐射环境及其效应研究第19-35页
    2.1 空间辐射环境分析第19-24页
        2.1.1 银河宇宙射线第20页
        2.1.2 太阳宇宙射线第20-22页
        2.1.3 地磁俘获带第22-24页
    2.2 航天器轨道辐射环境分布第24-31页
        2.2.1 航天器轨道第24-25页
        2.2.2 航天器轨道环境中的辐射分布第25-28页
        2.2.3 某 500km 太阳同步轨道航天器在轨辐射环境计算第28-31页
    2.3 辐射对器件的损伤效应与机理分析第31-34页
        2.3.1 电离总剂量效应第31页
        2.3.2 位移总剂量效应第31-34页
    2.4 本章小结第34-35页
第3章 CMOS 像感器辐射效应分析第35-48页
    3.1 CMOS 像感器结构及工作原理第35-37页
        3.1.1 CMOS 像感器结构和工作原理第35-36页
        3.1.2 CMOS 像感器工作特性参数第36-37页
    3.2 CMOS 像感器的核心器件第37-38页
        3.2.1 光电二极管工作原理第37页
        3.2.2 MOSFET 工作原理第37-38页
    3.3 剂量率效应对 CMOS 像感器的影响第38-47页
        3.3.1 剂量率效应对光电二极管的影响第39-43页
        3.3.2 剂量率效应对 MOSFET 的影响第43-46页
        3.3.3 剂量率效应对 CMOS 像感器工作特性的影响第46-47页
    3.4 本章小结第47-48页
第4章 CMOS 像感器辐射效应试验研究及文献数据分析第48-68页
    4.1 试验方案第48-52页
        4.1.1 试验条件第48-50页
        4.1.2 测量参数第50-51页
        4.1.3 测量系统布局第51-52页
    4.2 试验结果第52-59页
        4.2.1 本底测试第52-54页
        4.2.2 辐照后测试第54-59页
    4.3 剂量率效应对 CMOS 像感器工作特性的影响第59-65页
        4.3.1 剂量率对暗电流的影响第59-62页
        4.3.2 剂量率对光强响应度的影响第62-64页
        4.3.3 误差分析第64-65页
    4.4 多点布局剂量率试验方法的研究第65-67页
    4.5 本章小结第67-68页
结论第68-70页
参考文献第70-74页
攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果第74-76页
致谢第76页

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