摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第1章 绪论 | 第8-19页 |
1.1 课题背景及研究意义 | 第8-10页 |
1.2 CMOS 像感器发展及应用状况 | 第10-12页 |
1.2.1 CMOS 像感器的发展 | 第10-11页 |
1.2.2 CMOS 像感器的空间应用状况 | 第11-12页 |
1.3 CMOS 像感器的空间辐射效应研究 | 第12-17页 |
1.3.1 国外研究进展 | 第13-15页 |
1.3.2 国内研究进展 | 第15-16页 |
1.3.3 关于剂量率效应的研究 | 第16-17页 |
1.4 文献综述及分析 | 第17-18页 |
1.5 本文主要研究内容 | 第18-19页 |
第2章 空间辐射环境及其效应研究 | 第19-35页 |
2.1 空间辐射环境分析 | 第19-24页 |
2.1.1 银河宇宙射线 | 第20页 |
2.1.2 太阳宇宙射线 | 第20-22页 |
2.1.3 地磁俘获带 | 第22-24页 |
2.2 航天器轨道辐射环境分布 | 第24-31页 |
2.2.1 航天器轨道 | 第24-25页 |
2.2.2 航天器轨道环境中的辐射分布 | 第25-28页 |
2.2.3 某 500km 太阳同步轨道航天器在轨辐射环境计算 | 第28-31页 |
2.3 辐射对器件的损伤效应与机理分析 | 第31-34页 |
2.3.1 电离总剂量效应 | 第31页 |
2.3.2 位移总剂量效应 | 第31-34页 |
2.4 本章小结 | 第34-35页 |
第3章 CMOS 像感器辐射效应分析 | 第35-48页 |
3.1 CMOS 像感器结构及工作原理 | 第35-37页 |
3.1.1 CMOS 像感器结构和工作原理 | 第35-36页 |
3.1.2 CMOS 像感器工作特性参数 | 第36-37页 |
3.2 CMOS 像感器的核心器件 | 第37-38页 |
3.2.1 光电二极管工作原理 | 第37页 |
3.2.2 MOSFET 工作原理 | 第37-38页 |
3.3 剂量率效应对 CMOS 像感器的影响 | 第38-47页 |
3.3.1 剂量率效应对光电二极管的影响 | 第39-43页 |
3.3.2 剂量率效应对 MOSFET 的影响 | 第43-46页 |
3.3.3 剂量率效应对 CMOS 像感器工作特性的影响 | 第46-47页 |
3.4 本章小结 | 第47-48页 |
第4章 CMOS 像感器辐射效应试验研究及文献数据分析 | 第48-68页 |
4.1 试验方案 | 第48-52页 |
4.1.1 试验条件 | 第48-50页 |
4.1.2 测量参数 | 第50-51页 |
4.1.3 测量系统布局 | 第51-52页 |
4.2 试验结果 | 第52-59页 |
4.2.1 本底测试 | 第52-54页 |
4.2.2 辐照后测试 | 第54-59页 |
4.3 剂量率效应对 CMOS 像感器工作特性的影响 | 第59-65页 |
4.3.1 剂量率对暗电流的影响 | 第59-62页 |
4.3.2 剂量率对光强响应度的影响 | 第62-64页 |
4.3.3 误差分析 | 第64-65页 |
4.4 多点布局剂量率试验方法的研究 | 第65-67页 |
4.5 本章小结 | 第67-68页 |
结论 | 第68-70页 |
参考文献 | 第70-74页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第74-76页 |
致谢 | 第76页 |