| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 研究背景 | 第7-9页 |
| 1.2 研究的目的和意义 | 第9页 |
| 1.3 论文结构 | 第9-11页 |
| 第二章 SOI MOSFET 辐射环境下单粒子效应分析 | 第11-25页 |
| 2.1 SOI MOSFET 的结构与特性 | 第11-13页 |
| 2.1.1 SOI 技术简介 | 第11页 |
| 2.1.2 SOI MOSFET 的结构 | 第11-12页 |
| 2.1.3 SOI MOSFET 的特性 | 第12-13页 |
| 2.2 SOI MOSFET 的单粒子效应特性 | 第13-18页 |
| 2.2.1 单粒子效应中不同粒子与器件材料的相互作用 | 第13-14页 |
| 2.2.2 SOI MOSFET 电荷收集特性 | 第14-15页 |
| 2.2.3 SOI MOSFET 寄生双极效应 | 第15-17页 |
| 2.2.4 SOI SRAM 单元单粒子翻转特性 | 第17-18页 |
| 2.3 SOI MOSFET 的单粒子电荷收集机制 | 第18-23页 |
| 2.3.1 SOI MOSFET 单粒子电荷收集机理和模型 | 第18-22页 |
| 2.3.2 影响脉冲特性和电荷收集的因素分析 | 第22-23页 |
| 2.4 小结 | 第23-25页 |
| 第三章 SOI MOSFET 电荷收集模型 | 第25-43页 |
| 3.1 SOI MOSFET 的电荷收集模型的建立 | 第25-36页 |
| 3.1.1 敏感区域和模型假设 | 第25-26页 |
| 3.1.2 改进的扩散和漂移电荷收集模型 | 第26-30页 |
| 3.1.3 考虑寄生双极晶体管效应的电荷收集模型 | 第30-33页 |
| 3.1.4 模型中的动态参数 | 第33-36页 |
| 3.2 SOI MOSFET 电荷收集模型的计算机模拟 | 第36-41页 |
| 3.2.1 模拟软件的选用和编写 | 第36-39页 |
| 3.2.2 电荷收集与瞬态脉冲模型模拟方案 | 第39-41页 |
| 3.3 小结 | 第41-43页 |
| 第四章 SOI MOSFET 单粒子电荷收集模型验证 | 第43-57页 |
| 4.1 模型和模拟结果的验证 | 第43-48页 |
| 4.1.1 模型的验证方案设计 | 第43-44页 |
| 4.1.2 模型和模拟结果正确性验证 | 第44-48页 |
| 4.2 SOI MOSFET 单粒子电荷收集特点和影响因素 | 第48-55页 |
| 4.2.1 LET 值和入射角度对 SOI MOSFET 收集电荷的影响 | 第48-52页 |
| 4.2.2 体区掺杂浓度对收集电荷的影响 | 第52-54页 |
| 4.2.3 温度对收集电荷的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 小结 | 第55-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 论文总结 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
