| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-29页 |
| 1.1 GaN基半导体材料的发展背景 | 第19-22页 |
| 1.2 InAlGaN/GaN异质结的研究背景与意义 | 第22-24页 |
| 1.3 InAlGaN四元合金的研究进展 | 第24-26页 |
| 1.4 研究内容与安排 | 第26-29页 |
| 第二章 InAlGaN/GaN异质结的制备及材料表征方法 | 第29-47页 |
| 2.1 GaN基半导体材料的MOCVD外延技术 | 第29-32页 |
| 2.1.1 MOCVD方法的生长机理 | 第29-30页 |
| 2.1.2 MOCVD异质外延系统 | 第30-32页 |
| 2.2 高质量GaN薄膜的异质外延生长 | 第32-36页 |
| 2.2.1 III-V族氮化物薄膜的MOCVD外延衬底 | 第32-34页 |
| 2.2.2 高质量GaN缓冲层的两步法生长 | 第34-36页 |
| 2.3 InAlGaN/GaN异质结的表征方法 | 第36-40页 |
| 2.4 HEMTs器件的制备工艺 | 第40-45页 |
| 2.4.1 InAlGaN/GaNHEMTs器件工艺介绍 | 第40-42页 |
| 2.4.2 HEMTs器件的关键参数 | 第42-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-47页 |
| 第三章 InAlGaN/GaN异质结设计的理论计算分析 | 第47-59页 |
| 3.1 GaN基异质结的极化理论简介 | 第47-48页 |
| 3.2 InAlGaN/GaN异质结的理论计算模型 | 第48-52页 |
| 3.2.1 InAlGaN/GaN异质结2DEG面密度理论计算解析模型 | 第50页 |
| 3.2.2 InAlGaN/GaN异质结能带结构和载流子分布的数值计算模型 | 第50-52页 |
| 3.3 InAlGaN/GaN异质结设计理论计算结果与分析 | 第52-57页 |
| 3.3.1 晶格匹配的InAlGaN/GaN异质结 | 第52-55页 |
| 3.3.2 极化匹配的InAlGaN/GaN异质结 | 第55-57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 高质量InAlGaN/GaN异质结材料的生长研究 | 第59-79页 |
| 4.1 高质量InAlGaN四元合金的PMOCVD生长研究 | 第59-73页 |
| 4.1.1 PMOCVD方法简介 | 第60-62页 |
| 4.1.2 高质量InAlGaN势垒层的PMOCVD生长工艺优化 | 第62-73页 |
| 4.2 InAlGaN/AlGaN/GaN复合势垒层异质结的制备与研究 | 第73-78页 |
| 4.2.1 InAlGaN/AlGaN/GaN异质结的制备 | 第73-74页 |
| 4.2.2 InAlGaN/AlGaN/GaN异质结的测试与分析 | 第74-76页 |
| 4.2.3 AlGaN层厚度对InAlGaN/AlGaN/GaN异质结电学特性的影响 | 第76-78页 |
| 4.3 本章小结 | 第78-79页 |
| 第五章 近晶格匹配InAlGaN/GaN异质结的HEMT器件特性研究 | 第79-91页 |
| 5.1 近晶格匹配的InAlGaN/GaN异质结的生长 | 第79-83页 |
| 5.1.1 实验 | 第80-81页 |
| 5.1.2 测试结果与分析 | 第81-83页 |
| 5.2 近晶格匹配InAlGaN/GaNHEMT器件特性研究 | 第83-87页 |
| 5.2.1 近晶格匹配InAlGaN/GaNHEMT的欧姆接触特性 | 第83-85页 |
| 5.2.2 近晶格匹配InAlGaN/GaNHEMT器件的直流特性分析 | 第85-86页 |
| 5.2.3 晶格匹配型InAlGaN/GaNHEMT器件的交流小信号特性 | 第86-87页 |
| 5.3 器件的栅极漏电分析 | 第87-90页 |
| 5.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第六章 近极化匹配InAlGaN/GaN异质结增强型HEMT器件研究 | 第91-105页 |
| 6.1 GaN基增强型HEMT的研究背景 | 第91-94页 |
| 6.2 高质量近极化匹配InAlGaN/GaN异质结的生长 | 第94-98页 |
| 6.2.1 实验 | 第94页 |
| 6.2.2 结果与分析 | 第94-98页 |
| 6.3 基于InAlGaN/GaN异质结的增强型HEMTs器件特性研究 | 第98-103页 |
| 6.3.1 增强型InAlGaN/GaNHEMT的直流特性研究 | 第98-100页 |
| 6.3.2 增强型InAlGaN/GaNHEMT器件的变温特性研究 | 第100-102页 |
| 6.3.3 器件的交流小信号特性 | 第102-103页 |
| 6.4 本章小结 | 第103-105页 |
| 第七章 结束语 | 第105-109页 |
| 参考文献 | 第109-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 作者简介 | 第121-123页 |
