| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 射频开关的发展 | 第10-12页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 GaAs MOSFET 器件和工艺 | 第13-29页 |
| 2.1 GaAs MOSFET 器件 | 第13-16页 |
| 2.2 GaAs MOSFET 器件工艺流程 | 第16-20页 |
| 2.2.1 欧姆接触 | 第16-17页 |
| 2.2.2 台面隔离 | 第17-18页 |
| 2.2.3 栅介质沉积 | 第18页 |
| 2.2.4 栅槽刻蚀和栅金属蒸发 | 第18-20页 |
| 2.3 氧气氛围下 InP/Al2O3热退火的研究 | 第20-24页 |
| 2.4 O3处理条件下 ALD 生长 Al2O3的研究 | 第24-29页 |
| 第三章 射频开关器件建模 | 第29-45页 |
| 3.1 射频开关小信号模型 | 第29-30页 |
| 3.2 小信号模型的参数提取 | 第30-33页 |
| 3.2.1 PAD 电容的提取 | 第30-32页 |
| 3.2.2 寄生电感和电阻 | 第32-33页 |
| 3.3 射频开关器件的小信号模型提参 | 第33-36页 |
| 3.4 器件特性表征 | 第36-42页 |
| 3.4.1 直流特性表征 | 第37-39页 |
| 3.4.2 开关小信号特性表征 | 第39-40页 |
| 3.4.3 开关功率特性表征 | 第40-42页 |
| 3.5 小信号模型建模与拟合 | 第42-45页 |
| 第四章 射频开关电路的设计 | 第45-57页 |
| 4.1 射频开关基础 | 第45-51页 |
| 4.1.1 射频开关分类 | 第45-46页 |
| 4.1.2 射频开关的基本工作原理 | 第46页 |
| 4.1.3 射频开关的主要性能指标 | 第46-48页 |
| 4.1.4 SPDT 射频开关 | 第48-50页 |
| 4.1.5 改善射频开关线性度的方法 | 第50-51页 |
| 4.2 SP4T 射频开关电路的设计 | 第51-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 硕士期间发表论文 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |