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场效应器件
有机双稳态器件和有机太阳能电池的电学性质研究
纳米CMOS器件的新测量方法并用于可靠性的研究
0.18um 1.8 N型场效应晶体管的EKV模型
纳米CMOS器件的NBTI效应及其物理模型
0.18μm CMOS技术中功率LDMOS器件的电流特性研究
功率集成与0.35微米BCD工艺研究
塑封功率器件分层失效机理研究与工艺改进
功率器件的封装失效分析以及静电放电研究
深亚微米MOS场效应管器件模型Bsim4.5的Verilog-A语言实现
功率沟槽MOSFET的开关速度和栅漏电容Cgd的优化设计和研究
通过使用阶梯状掺杂的埋层对超浅结进行双边C-V剖面分析
沟槽MOSFET中掺杂工艺的应用和优化
抗热载流子效应的工艺及器件结构研究
射频功率LDMOSFET中的热累积效应研究
大功率IGBT建模与瞬态分析研究
高压器件并联输出级结构设计及其工艺研究
横向高压DMOS体内场优化与新结构
功率MOSFET的UIS特性研究
新型介质场增强SOI高压器件研究
基于GaN MOS器件的注入和氧化工艺研究
线阵CCD参数测试方法研究与系统的建立
VDMOS器件可靠性的研究
碳化硅SBD和MESFETs功率器件研究
复合埋层SOI高压器件的数值仿真与实验研究
基于自隔离技术的可集成SOI高压（＞600V）器件研究
基于横向和垂直结构的有机场效应晶体管的研究
以聚噻吩为沟道材料的场效应管研究
IGBT模型仿真研究
异质栅MOS热载流子效应的研究
叠栅MOSFET的结构设计与特性研究
基于SPICE3短沟道MOSFET的热噪声模型
复合多晶硅栅MOSFET直流与交流特性模拟研究
槽栅倒掺杂MOSFET的研究
具有P反型层的FD LDMOS建模及数值分析
复合多晶硅栅LDDMOSFET的静态特性及截止频率研究
简化小尺寸MOS晶体管SPICE模型关键参数的研究
并五苯类有机小分子场效应晶体管材料的合成与器件制备
IGBT的可靠性模型研究
功率器件封装的可靠性研究
LDMOS渐变沟道电流分析与建模研究
电路级NBTI效应的研究
LDMOS表面势模型的研究
基于PSP的对称LDD MOS管建模研究
基于表面势的HEMT模型研究
基于二氧化铪的高介电常数薄膜的制备与研究
功率VDMOS器件失效分析与可靠性研究
IGBT的分析与设计
功率UMOSFET器件新结构及其特性研究
槽栅DMOS器件的研究与设计
MOSFET并联射频C类放大器
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