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场效应器件
SiO2/SiC界面质量对n沟SiC MOSFET器件性能影响的研究
深亚微米SDE MOS器件结构及可靠性研究
电子器件模拟软件中的MOSFET建模
减小MOSFET开关损耗的极间电容优化仿真研究
应用于下一代MOSFET中的高介电栅介质材料的研究
MOSFET热载流子退化效应的研究
MOS器件总剂量辐射加固技术研究
三相高压功率MOS栅驱动集成电路
SOI高压MOS器件击穿特性研究
衍射光学元件制作及其在CCD相机光学系统中的应用
6H-SiC MOS结构界面物理性质和辐照特性研究
PMOSFETs热载流子可靠性及其寿命评估方法研究
深亚微米MOS器件热载流子效应研究
并五苯性质的研究及其场效应晶体管的研制
新型IGBT器件的设计与建模
4H-SiC射频/微波功率MESFETs新结构与模型研究
宽光谱光源对可见光CCD的干扰效应研究
基于VR的CCD精确标定的研究
0.8μm SOI/CMOS SPICE器件模型参数提取
SOI薄膜（FD）器件模拟技术—深亚微米全耗尽SOIMOSFET阈值电压模型及新器件结构的研究
IGBT的电热学特性的研究
高压MOSFET Ⅰ-Ⅴ特性宏模型的建立与研究
EMCCD与USB的整合
SOI器件及铁电存储器特性研究
基于SILVACO模拟的开关VDMOS设计与制造
氮氧硅栅介质的可靠性特性分析
新型纳米MOS器件研究
深亚微米CMOS器件中栅氧化层的经时击穿行为（TDDB）及其机理研究
关于深亚微米器件GOI及NBTI可靠性问题的研究
高压PMOS器件阈值电压稳定性改善工艺研究
Ni基全硅化物金属栅工艺、特性及表征技术研究
0.6um BCD工艺中LDMOS器件的优化
超深亚微米SiGe SOI MOSFETs的特性研究
SJ MOSFET特性分析与设计
深亚微米全耗尽SOI CMOS的高温应用分析
超深亚微米CMOS器件GIDL电流及其可靠性研究
纳米SOI MOSFET的结构设计和性能分析
4H-SiC MESFET非线性模型研究
超深亚微米MOS器件RTS噪声研究
SiC MOS器件和电路温度特性的研究
SiC垂直功率MOSFET的设计与特性仿真
MOS器件的HPM辐照效应研究
肖特基二极管抗辐照能力表征技术研究
SiO2介质材料辐照损伤—噪声测试结构研究
射频LDMOS的击穿电压与静电保护
纳米MOS器件中的量子效应分析及其模拟
功率MOS器件抗辐照能力无损评价方法研究
射频VDMOS器件结构研究
SOI-LDMOS器件的结构设计
AlGaN/GaN FP-HEMTs研究
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