IGBT模型仿真研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 致谢 | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| ·功率半导体器件与电力电子技术 | 第13页 |
| ·功率半导体的发展阶段 | 第13-14页 |
| ·IGBT 概述 | 第14-16页 |
| ·IGBT 的发展历程 | 第14-15页 |
| ·IGBT 的新进展及发展趋势 | 第15页 |
| ·IGBT 技术发展趋势 | 第15-16页 |
| ·IGBT 模型概述 | 第16-20页 |
| ·1GBT 模型分类 | 第17-18页 |
| ·解析模型 | 第18页 |
| ·半解析模型 | 第18-19页 |
| ·行为模型 | 第19页 |
| ·IGBT 模型的代表-Hefner 模型 | 第19-20页 |
| ·IGBT 模型的及其仿真植入 | 第20页 |
| ·Pspice 概述 | 第20-24页 |
| ·Pspice 简介 | 第20-22页 |
| ·ABM 模型 | 第22-24页 |
| 第二章 IGBT 数理模型 | 第24-43页 |
| ·绝缘栅双极型晶体管（IGBT） | 第24-31页 |
| ·绝缘栅场效应晶体管的结构特点及工作原理 | 第24-26页 |
| ·IGBT 的基本特性 | 第26-29页 |
| ·IGBT 的擎住效应和安全工作区 | 第29-31页 |
| ·IGBT 的主要参数 | 第31页 |
| ·双极传输理论分析 | 第31-36页 |
| ·大电流增益，低注入 | 第33-34页 |
| ·大电流增益，高注入 | 第34页 |
| ·小电流增益，高注入 | 第34-36页 |
| ·IGBT 的静态分析模型建模 | 第36-43页 |
| ·耗尽层宽度 | 第36-37页 |
| ·静态分析 | 第37-39页 |
| ·动态分析 | 第39页 |
| ·IGBT 数理模型参数及模型的数理方程 | 第39-43页 |
| 第三章 IGBT 数理模型的Pspice 实现 | 第43-62页 |
| ·数理模型模型分析和等效电路图 | 第43-44页 |
| ·IGBT 的Pspice 模型采用的数学方法 | 第44-47页 |
| ·数理方程植入方法 | 第47-57页 |
| ·参数提取 | 第57-59页 |
| ·常数参数 | 第57页 |
| ·其他参数 | 第57-58页 |
| ·参数提取结果 | 第58-59页 |
| ·仿真结果与结论 | 第59-62页 |
| 第四章 IGBT 行为模型 | 第62-69页 |
| ·IGBT 行为模型概述 | 第62页 |
| ·数理模型 | 第62-64页 |
| ·IGBT 静态模型 | 第62-63页 |
| ·IGBT 的动态特性 | 第63-64页 |
| ·IGBT 简化模型 | 第64-66页 |
| ·参数提取与配置 | 第66页 |
| ·参数提取 | 第66页 |
| ·参数配置结果 | 第66页 |
| ·仿真与结论 | 第66-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-70页 |
| ·总结 | 第69页 |
| ·展望 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第73-74页 |
