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GaAs纳米线pn结理论与实验研究
高电子迁移率晶体管的建模和优化
NMOSFET热载流子效应可靠性及寿命研究
基于变分法的准二维MOSFET阈值电压的解析模型
线性变掺杂漂移区LDMOS导通电阻和温度特性研究
基于FPGA的线阵CCD图像测量系统研究
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高速IGBT及IGBT抗闩锁性能优化
利用软件平台对节能灯驱动电路中半桥功率MOSFET的设计
BCD电路器件结构的计算机辅助设计
GaN HEMT器件建模与仿真
基于浮空区技术的功率器件的研究
VDMOS器件的总剂量辐射效应及仿真分析
一种适用于功率驱动电路的BCD工艺开发及优化
AlGaN/GaN微波功率器件建模与功率合成研究
增强型GaN高电子迁移率晶体管的研究
600V高压VDMOS器件导通电阻仿真优化设计
钝化层对功率器件芯片电参数影响的仿真分析及工艺优化
表贴式功率MOSFET封装技术研究
基于线阵CCD的位移检测技术研究
基于摄像机的CCD电路噪声模型的仿真与测试的研究
GaAs PHEMT器件失效机理及寿命评估研究
N掺杂石墨烯及其场效应晶体管研究
面阵CCD图像采集处理系统的设计与实现
基于CCD的星体识别算法及应用研究
体硅/SOI MOSFET与LDMOS的非准表态效应研究
有机场效应晶体管电路仿真模型的研究
小尺寸MOS器件阈值电压的三维建模与仿真研究
浮栅结构和铁电栅介质有机场效应存储器件研究
碳纳米管场效应管模型及电—热耦合效应研究
基于BSIM4的SMIC 0.13um工艺RF MOSFET建模
A1GaN/GaN HEMT热特性研究
亚微米线性AlxGa1-xN/AlN/AlyGa1-yN/GaN HEMT研究与建模
基于VDMOS结构参数的TCAD模拟研究
MOS型器件辐照损伤及退火效应研究
Fe3O4-SiO2-Si结构反型层输运特性的研究
基于TMS320DM642的多线阵CCD数据采集系统
碳化硅功率UMOSFET器件结构设计及特性研究
高压SOI LDMOS器件结构设计与模拟研究
线阵CCD液位测量及光路设计研究
面阵CCD在脉冲激光辐照下的损伤研究
铁电场效应晶体管的保持性能研究
SOI横向高压器件纵向耐压理论与新结构
AlGaN/GaN HEMT物理模型与器件耐压研究
4H-SiC BJT功率器件新结构与特性研究
新型高频场效应器件特性与建模技术研究
X波段AlGaN/GaN HEMT器件物理与相关实验研究
横向超结功率器件的REBULF理论与新技术
硅基应变引入方法与MOS器件相关基础研究
纳米SOI MOSFET器件性能仿真和新器件结构研究
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