| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·高压器件基本知识 | 第9-10页 |
| ·功率MOS器件与CMOS工艺的集成 | 第10页 |
| ·目前功率器件的研究情况 | 第10页 |
| ·本文的主要工作 | 第10-12页 |
| 第二章 高压MOS器件的介绍 | 第12-27页 |
| ·MOS器件的基本电学参数的简介 | 第12-19页 |
| ·阈值电压 | 第12页 |
| ·饱和漏极电流 | 第12-14页 |
| ·器件饱和区域的特性 | 第14-15页 |
| ·二维模型的电场研究 | 第15-18页 |
| ·漏极边缘的峰值电场表达式 | 第18页 |
| ·碰撞离化和雪崩击穿 | 第18-19页 |
| ·击穿电压 | 第19页 |
| ·高压产品的应用和分类 | 第19-20页 |
| ·高压器件基本知识 | 第20-21页 |
| ·高压器件的物理击穿 | 第21-22页 |
| ·本文研究的功率LDMOS器件 | 第22-26页 |
| ·功率LDMOS器件与0.18μm CMOS工艺的集成 | 第26-27页 |
| 第三章 多电压功率器件研制 | 第27-42页 |
| ·硅片刻号和零位标记 | 第27-28页 |
| ·高压器件阱区和漂移区 | 第28-30页 |
| ·高压器件栅氧化层制备 | 第28-29页 |
| ·高压器件P阱和N阱离子注入 | 第29页 |
| ·NGRD和PGRD漂移区 | 第29-30页 |
| ·有源区和STI | 第30-32页 |
| ·有源区光刻 | 第30-31页 |
| ·STI填充和薄膜生成 | 第31-32页 |
| ·高压器件的阈值电压调节 | 第32-34页 |
| ·定义高压和中、低压器件的区域 | 第32-33页 |
| ·高压器件的阈值电压调节 | 第33-34页 |
| ·中压,低压器件阱区 | 第34-37页 |
| ·中压,低压器件P阱和N阱 | 第34-36页 |
| ·定义低压器件的区域 | 第36-37页 |
| ·多晶硅栅和轻掺杂漏区 | 第37-39页 |
| ·多晶硅栅 | 第37-38页 |
| ·N型和P型轻掺杂漏区 | 第38-39页 |
| ·侧墙,源漏区,自对准金属硅化物接触 | 第39-42页 |
| ·侧墙 | 第39-40页 |
| ·高压,中压和低压NMOS,PMOS的源漏区 | 第40-41页 |
| ·自对准金属硅化物接触 | 第41-42页 |
| 第四章 电流特性的测试分析 | 第42-55页 |
| ·非对称NMOS电流特性的测试分析 | 第42-48页 |
| ·沟道长度的影响 | 第43-45页 |
| ·NGRD漂移区浓度的影响 | 第45-46页 |
| ·高压器件P阱的浓度的影响 | 第46-47页 |
| ·ASN的优化工艺条件的选取 | 第47-48页 |
| ·非对称PMOS电流特性的测试分析 | 第48-55页 |
| ·沟道长度的影响 | 第49-51页 |
| ·PGRD漂移区浓度的影响 | 第51-52页 |
| ·高压器件N阱的浓度的影响 | 第52-53页 |
| ·ASP的优化工艺条件的选取 | 第53-55页 |
| 第五章 论文总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 后记 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第58-59页 |