基于表面势的HEMT模型研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-16页 |
| ·PHEMT（HEMT）的发展及其应用 | 第9-11页 |
| ·建模的必要性及其现状 | 第11-14页 |
| ·建模的意义 | 第11-12页 |
| ·GaAs HEMT 建模现状 | 第12-13页 |
| ·主要的商用模型及方法 | 第13-14页 |
| ·本文的主要内容及结构 | 第14-16页 |
| 第2章 HEMT 基本工作机理 | 第16-28页 |
| ·HEMT 基本结构 | 第16页 |
| ·GaAs HEMT 的基本工作原理 | 第16-28页 |
| ·结构参数分析 | 第16-18页 |
| ·工作机理 | 第18-19页 |
| ·二维电子气（2-DEG） | 第19-21页 |
| ·面电子密度（ns） | 第21-24页 |
| ·阈值电压和I-V 特性 | 第24-26页 |
| ·栅电容和截止频率fT | 第26-28页 |
| 第3章 MOSFET 的表面势基模型 | 第28-46页 |
| ·Pao-sah 模型 | 第28-30页 |
| ·薄层电荷模型[35-40] | 第30-34页 |
| ·PSP 模型[46] | 第34-46页 |
| ·表面势求解 | 第36-40页 |
| ·电流方程 | 第40-43页 |
| ·本征电荷 | 第43-46页 |
| 第4章 模型推导 | 第46-64页 |
| ·器件结构分析 | 第46-51页 |
| ·饱和点和分段点 | 第51-53页 |
| ·饱和点 | 第51-53页 |
| ·分段点 | 第53页 |
| ·解析求解表面势 | 第53-57页 |
| ·电流电压方程 | 第57-60页 |
| ·电荷方程 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第5章 仿真结果分析 | 第64-67页 |
| ·解析求解表面势结果 | 第64页 |
| ·电流电压曲线结果 | 第64-66页 |
| ·电荷曲线结果 | 第66页 |
| ·小结 | 第66-67页 |
| 第6章 总结和展望 | 第67-68页 |
| ·总结 | 第67页 |
| ·今后工作展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 附录 | 第74页 |
