基于PSP的对称LDD MOS管建模研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·引言 | 第11-14页 |
| ·集成电路的发展与摩尔定律 | 第11-12页 |
| ·超越摩尔定律 | 第12-14页 |
| ·MOS 晶体管的发展 | 第14-16页 |
| ·论文的内容与结构 | 第16-19页 |
| 第二章 MOS 晶体管器件模型发展 | 第19-37页 |
| ·MOS 管的Pao 和Sah 模型 | 第19-22页 |
| ·表面势和能带的关系 | 第19-20页 |
| ·表面势方程推导 | 第20-22页 |
| ·阈值电压模型 | 第22-24页 |
| ·反型层电荷模型 | 第24-34页 |
| ·EKV 模型 | 第24-29页 |
| ·BSIM5 模型 | 第29-31页 |
| ·非物理模型的缺陷 | 第31-34页 |
| ·表面势模型 | 第34-37页 |
| 第三章 PSP 模型 | 第37-52页 |
| ·PSP 模型简介 | 第37-39页 |
| ·本征模型 | 第39-46页 |
| ·表面势求解 | 第39-40页 |
| ·横向场梯度因子 | 第40-41页 |
| ·漏电流 | 第41-42页 |
| ·迁移率衰退 | 第42-43页 |
| ·速率饱和 | 第43-44页 |
| ·本征电荷 | 第44-46页 |
| ·非本征模型 | 第46-49页 |
| ·覆盖区表面势 | 第46页 |
| ·衬底电流 | 第46-47页 |
| ·栅电流 | 第47-49页 |
| ·非本征电荷 | 第49页 |
| ·噪声模型 | 第49-50页 |
| ·结模型 | 第50-51页 |
| ·非准静态(NQS)模型 | 第51页 |
| ·PSP 模型的发布版本 | 第51-52页 |
| 第四章 对称LDD MOS 晶体管的串联电阻 | 第52-59页 |
| ·热载流子效应 | 第52-53页 |
| ·热载流子效应的防护 | 第53-54页 |
| ·串联电阻分析与计算 | 第54-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 小尺寸下的 DIBL 效应 | 第59-65页 |
| ·DIBL 效应 | 第59页 |
| ·小尺寸下 DIBL 效应建模 | 第59-63页 |
| ·小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结与展望 | 第65-67页 |
| ·工作总结 | 第65-66页 |
| ·工作展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 附录 | 第73-74页 |
| 详细摘要 | 第74-76页 |
