| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-14页 |
| ·射频功率器件的发展现状 | 第11页 |
| ·课题的提出 | 第11-12页 |
| ·论文主要内容及研究方法 | 第12-14页 |
| 第二章 LDMOSFET 器件建模 | 第14-23页 |
| ·LDMOSFET 的基本结构与特点 | 第14-16页 |
| ·与传统CMOS 工艺兼容的LDMOSFET 工艺 | 第16-17页 |
| ·高耐压LDMOSFET 及其准饱和现象 | 第17-19页 |
| ·LDMOSFET 物理模型 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 器件模拟的理论基础 | 第23-37页 |
| ·器件参数的确定 | 第24-28页 |
| ·本征半导体与非本征半导体 | 第24页 |
| ·载流子输运现象 | 第24-26页 |
| ·载流子的产生和复合 | 第26-28页 |
| ·半导体器件的基本方程 | 第28-31页 |
| ·麦克斯韦方程组 | 第28页 |
| ·泊松方程 | 第28-29页 |
| ·电流密度方程 | 第29-30页 |
| ·电流连续性方程 | 第30页 |
| ·热传导方程 | 第30-31页 |
| ·方程参数的归一化 | 第31-33页 |
| ·边界条件 | 第33-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 基于有限元的半导体器件数值模拟方法 | 第37-62页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·有限元方法的基本原理 | 第38-46页 |
| ·边值问题 | 第38页 |
| ·里兹方法 | 第38-40页 |
| ·伽辽金方法 | 第40-41页 |
| ·有限元方法的基本步骤 | 第41-46页 |
| ·MOSFET 电特性的二维稳态模拟 | 第46-57页 |
| ·模型方程与边界条件 | 第46-48页 |
| ·模型方程对应的有限元表达式 | 第48-50页 |
| ·线性化的离散方程 | 第50-53页 |
| ·三角单元的线性插值、单元分析及总体合成 | 第53-56页 |
| ·模型方程组的求解过程 | 第56-57页 |
| ·MOSFET 电特性的二维瞬态模拟 | 第57-60页 |
| ·瞬态分析的模型及变量 | 第57-59页 |
| ·数值模拟的方法 | 第59-60页 |
| ·MOSFET 热特性的二维模拟 | 第60-61页 |
| ·热源的产生 | 第60页 |
| ·二维热场有限元方程 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 单脉冲作用下的热效应 | 第62-71页 |
| ·单个ESD 脉冲的热效应 | 第62-64页 |
| ·单个高斯脉冲的热效应 | 第64-67页 |
| ·不同参数高斯脉冲的热效应比较 | 第67-70页 |
| ·本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 脉冲串作用下的热累积效应 | 第71-79页 |
| ·周期ESD 脉冲串的热累积效应 | 第71-73页 |
| ·周期高斯脉冲串的热累积效应 | 第73-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 第七章 总结与展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 致谢 | 第86-87页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第87-89页 |