| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·有机场效应晶体管简介 | 第9-11页 |
| ·有机场效应晶体管的发展历程以及常用技术 | 第11-16页 |
| ·有机场效应晶体管的发展历程 | 第11-12页 |
| ·制作有机场效应晶体管的常用技术 | 第12-14页 |
| ·有机场效应晶体管的制作工艺 | 第14-16页 |
| ·有机半导体材料 poly(3-hexylthiophene)简介 | 第16-17页 |
| ·P3HT 场效应管性能的影响因素及改进方法 | 第17-19页 |
| ·本章小结 | 第19-21页 |
| 第二章 以P3HT 为沟道材料的光晶体管研究 | 第21-28页 |
| ·纳米尺度电子沟道的制作 | 第21-23页 |
| ·电迁移熔断法 | 第21页 |
| ·金纳米颗粒电极 | 第21-22页 |
| ·电镀技术 | 第22-23页 |
| ·刀片切割法 | 第23页 |
| ·短沟道P3HT 光晶体管的性能 | 第23-26页 |
| ·沟道长度对P3HT 光晶体管的影响 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 以P3HT 为沟道材料的光控场效应管研究 | 第28-40页 |
| ·器件的制作及测量 | 第28-29页 |
| ·器件的制作 | 第28页 |
| ·测量仪器及条件 | 第28-29页 |
| ·光控P3HT 场效应管的性能 | 第29-32页 |
| ·源漏电压对于P3HT 活性层的影响 | 第32-35页 |
| ·不同源漏电压下器件电流随波长的变化 | 第32-34页 |
| ·源漏电压对于P3HT 活性层光吸收的影响 | 第34-35页 |
| ·门极电压对于P3HT 活性层的影响 | 第35-37页 |
| ·门极电压下P3HT 活性层发射谱的测量 | 第35-37页 |
| ·实验结果的理论解释 | 第37页 |
| ·光控场效应管的内部过程 | 第37-38页 |
| ·本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 掺杂受体材料的P3HT 场效应晶体管研究 | 第40-44页 |
| ·器件的制作及测量 | 第40-41页 |
| ·掺杂浓度对器件性能的影响 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 结论 | 第44-46页 |
| ·实验结论总结 | 第44页 |
| ·本课题的主要创新点 | 第44-45页 |
| ·未来工作展望 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |