| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| §1.1 引言 | 第9-10页 |
| §1.2 功率器件的发展简况 | 第10-13页 |
| §1.3 LDMOS结构介绍 | 第13-15页 |
| §1.4 本文主要工作 | 第15-16页 |
| 第二章 LDMOS一般模型及数值参数参数分析 | 第16-34页 |
| §2.1 高压功率集成电路中的LDMOS的一般模型(工艺与设计) | 第16-18页 |
| §2.2 LDMOS中P型反型层各参数器件耐压性能的影响 | 第18-20页 |
| §2.3 带场板结构的LDMOS漂移区数值模型 | 第20-34页 |
| §2.3.1 射频LDMOS漂移区模型 | 第21-25页 |
| §2.3.2 栅源电压V_(GS)对于跨导g_m的影响 | 第25-26页 |
| §2.3.3 场氧厚度t_(fox)对于跨导g_m的影响 | 第26-27页 |
| §2.3.4 场板长度L_(fp)对于跨导g_m的影响 | 第27-28页 |
| §2.3.5 场板电压V_(fp)对于跨导的影响 | 第28-30页 |
| §2.3.6 自加热效应分析 | 第30-31页 |
| §2.3.7 电容特性分析 | 第31-34页 |
| 第三章 LDMOS结构的电场模型解析解析 | 第34-45页 |
| §3.1 场板技术以及RESURF原理介绍 | 第34-38页 |
| §3.1.1 场板技术(FP) | 第34-35页 |
| §3.1.2 RESURF技术 | 第35-37页 |
| §3.1.3 DOUBLE RESURF | 第37-38页 |
| §3.2 功率LDMOS中的场极板参数分析 | 第38-45页 |
| §3.2.1 功率LDMOS中漂移区数值模型 | 第38-41页 |
| §3.2.2 仿真结果和分析 | 第41-44页 |
| §3.2.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 LDMOS的稳定性分析 | 第45-52页 |
| §4.1 KIRK效应 | 第45-47页 |
| §4.2 寄生晶体管效应 | 第47-48页 |
| §4.3 自加热效应 | 第48-50页 |
| §4.4 热载流子效应 | 第50-52页 |
| 第五章 结束语 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第58-59页 |
