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VDMOS器件可靠性的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-8页
第一章 引言第8-17页
   ·功率半导体器件的发展第8-10页
   ·功率MOSFET 的分类第10-13页
   ·可靠性概述第13-15页
   ·本文主要工作第15-17页
第二章 VDMOS 器件基本原理第17-31页
   ·VDMOS 基本特性第17-19页
     ·器件基本结构第17-18页
     ·输出特性第18页
     ·转移特性第18-19页
   ·VDMOS 器件静态参数第19-28页
     ·漏源击穿电压第19-23页
     ·阈值电压第23-25页
     ·导通电阻第25-28页
   ·VDMOS 器件的工作状态第28-31页
     ·关断状态第28-29页
     ·开启过程第29页
     ·开启状态第29-30页
     ·关断过程第30-31页
第三章 VDMOS 可靠性基础试验第31-45页
   ·自主研制VDMOS 器件7575第31-33页
   ·高温存储试验第33-35页
     ·试验程序和方法第34页
     ·终测数据分布总结第34-35页
   ·温度循环试验第35-38页
     ·实验程序和方法第36-37页
     ·终测数据分布总结第37-38页
   ·老炼试验第38-41页
     ·高温反偏试验第39页
     ·高温栅偏试验第39-40页
     ·老炼试验参数测量结果第40-41页
   ·试验结果分析第41-45页
     ·失效器件的分析第41-42页
     ·Arrhenius 模型第42-45页
第四章 VDMOS 电机应用可靠性试验第45-63页
   ·直流无刷电机第45-49页
     ·直流无刷电动机的工作原理第45-47页
     ·直流无刷电动机的控制结构第47页
     ·直流无刷电动机的控制原理第47-49页
   ·最大供电电压测试第49-57页
     ·试验前准备工作第49页
     ·试验程序及结果第49-55页
     ·试验结果分析第55-57页
   ·刹车试验第57-63页
     ·试验方法第57-58页
     ·试验程序及结果第58-60页
     ·刹车试验结果分析第60-63页
第五章 结论第63-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-67页
附录第67-75页
攻硕期间取得的研究成果第75-76页

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