深亚微米MOS场效应管器件模型Bsim4.5的Verilog-A语言实现
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 引言 | 第5-7页 |
| 第一章 C语言模型的载入与计算 | 第7-11页 |
| ·C语言模型的数据结构与类型 | 第7-8页 |
| ·C语言模型与仿真软件的契合 | 第8-9页 |
| ·小结 | 第9-11页 |
| 第二章 VA格式模型的载入与计算 | 第11-16页 |
| ·VA格式模型的数据结构与类型 | 第11-12页 |
| ·VA格式模型的行为描述语句块 | 第12-14页 |
| ·VA格式模型与仿真软件的契合 | 第14-16页 |
| 第三章 Bsim4.5 VA模型的输入处理 | 第16-20页 |
| ·输入数据初始化 | 第16-17页 |
| ·几何参数加权 | 第17页 |
| ·温度效应计算 | 第17-19页 |
| ·输入数据检查 | 第19-20页 |
| 第四章 Bsim4.5 VA模型的输出计算 | 第20-24页 |
| ·确定端口偏置 | 第20-21页 |
| ·计算支路电流 | 第21-22页 |
| ·加载端口电荷 | 第22页 |
| ·运算模型噪声 | 第22-23页 |
| ·返回输出数据 | 第23-24页 |
| 第五章 Bsim4.3升级到Bsim4.5 | 第24-25页 |
| 第六章 Bsim4.5 VA模型的比较验证 | 第25-33页 |
| ·模型验证工具和方法 | 第25-26页 |
| ·单一器件电路验证 | 第26-29页 |
| ·反相器链电路与振荡器环电路验证 | 第29-31页 |
| ·四位进位加法器电路验证 | 第31-32页 |
| ·比较验证结论 | 第32-33页 |
| 第七章 总结 | 第33-34页 |
| 附录 | 第34-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |