| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 引言 | 第6-8页 |
| 第二章 沟槽功率MOSFET器件制造流程及掺杂工艺的应用 | 第8-17页 |
| ·沟槽功率MOSFET器件特点 | 第8-9页 |
| ·沟槽功率MOSFET器件制造工艺流程 | 第9-12页 |
| ·沟槽功率MOSFET器件中的掺杂工艺介绍 | 第12-17页 |
| ·外延生长即时掺杂 | 第13-14页 |
| ·离子注入 | 第14-17页 |
| 第三章 沟槽功率MOSFET器件电性参数及掺杂工艺的优化 | 第17-31页 |
| ·沟槽功率MOSFET器件的电性参数及其测试 | 第17-21页 |
| ·掺杂工艺的优化和电性参数的改善 | 第21-30页 |
| ·外延电阻率的选择 | 第21-23页 |
| ·体区注入工艺的优化 | 第23-27页 |
| ·接触区注入工艺的优化 | 第27-30页 |
| ·小结 | 第30-31页 |
| 第四章 沟槽功率MOSFET器件可靠性及掺杂工艺的优化 | 第31-42页 |
| ·沟槽功率MOSFET器件可靠性 | 第31页 |
| ·掺杂工艺对热载流子注入特性的影响 | 第31-36页 |
| ·热载流子注入模型 | 第31-32页 |
| ·外延层掺杂对热载流子特性的影响 | 第32-35页 |
| ·体区掺杂对热载流子特性的影响 | 第35-36页 |
| ·掺杂工艺对阈值电压漂移的影响 | 第36-42页 |
| ·阈值电压漂移的测试和失效机制 | 第36-37页 |
| ·阈值电压漂移的分析和工艺优化 | 第37-42页 |
| 第五章 结论 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
