| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-18页 |
| ·概述 | 第6-13页 |
| ·POWER MOSFET的发展 | 第6-7页 |
| ·POWER MOSFET分类 | 第7-8页 |
| ·POWER MOSFET结构 | 第8-11页 |
| ·POWER MOSFET的具体应用 | 第11-13页 |
| ·优化MOSFET体二极管的意义 | 第13页 |
| ·功率MOSFET体二极管的研究 | 第13-15页 |
| ·功率MOSFET栅漏电荷的研究 | 第15页 |
| ·本文的主要工作 | 第15-18页 |
| 第二章 功率沟槽MOSFET的重要参数 | 第18-31页 |
| ·漏极电流 | 第18页 |
| ·阈值电压 | 第18-19页 |
| ·导通电阻 | 第19-22页 |
| ·漏源击穿电压 | 第22页 |
| ·栅电荷 | 第22-26页 |
| ·栅电荷 | 第22-24页 |
| ·栅电荷曲线的分析 | 第24-26页 |
| ·反向恢复电荷 | 第26-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 功率沟槽MOSFET开关速度的优化 | 第31-56页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·工艺流程简介 | 第32-38页 |
| ·沟槽形成 | 第33-35页 |
| ·栅氧化和多晶硅栅填充 | 第35-36页 |
| ·体区的注入和推进 | 第36-37页 |
| ·源区的注入和推进 | 第37页 |
| ·接触孔形成 | 第37页 |
| ·金属和钝化的淀积和刻蚀 | 第37-38页 |
| ·平面接触和沟槽接触沟槽MOSFET | 第38-40页 |
| ·整合Schottky整流器 | 第40-45页 |
| ·版图的改动 | 第42-43页 |
| ·制程的改动 | 第43-45页 |
| ·器件特性仿真和分析 | 第45-49页 |
| ·工艺仿真 | 第45-46页 |
| ·器件仿真 | 第46-49页 |
| ·确定器件结构参数可调整的范围 | 第49-55页 |
| ·调节体区阻挡的宽度 | 第50-52页 |
| ·调节两次刻蚀沟槽接触孔的深度CT_1和CT_2 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 优化设计功率沟槽MOSFET栅漏电容C_(gd) | 第56-70页 |
| ·分离栅沟槽MOSFET | 第56-69页 |
| ·器件结构 | 第56-57页 |
| ·制程 | 第57-61页 |
| ·器件特性仿真和分析 | 第61-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第五章 总结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |