槽栅DMOS器件的研究与设计
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·功率MOSFET发展概述 | 第10-15页 |
| ·VMOSFET和DMOSFET | 第12-14页 |
| ·UMOSFET | 第14-15页 |
| ·槽栅DMOS的发展现状 | 第15-17页 |
| ·本文的主要研究内容与创新 | 第17-19页 |
| 第2章 槽栅DMOS的主要电学参数与物理模型 | 第19-26页 |
| ·基本结构 | 第19-20页 |
| ·阈值电压 | 第20-21页 |
| ·导通电阻 | 第21-23页 |
| ·击穿电压 | 第23-24页 |
| ·漏源电流 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 第3章 槽栅DMOS的改进 | 第26-45页 |
| ·工艺技术的改进 | 第26-33页 |
| ·体区倒掺杂 | 第26-30页 |
| ·终端钝化工艺 | 第30-33页 |
| ·外延层结构的改进 | 第33-38页 |
| ·外延层掺杂对击穿电压的影响 | 第33-35页 |
| ·沟槽DMOS的外延层结构 | 第35-38页 |
| ·阈值电压物理模型的改进 | 第38-44页 |
| ·阈值电压模型 | 第38-40页 |
| ·模拟与分析 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 槽栅DMOS的设计与仿真 | 第45-68页 |
| ·单胞结构设计 | 第45-50页 |
| ·纵向结构参数的设计 | 第45-49页 |
| ·横向结构参数的设计 | 第49-50页 |
| ·终端结构设计 | 第50-51页 |
| ·单胞数和芯片有效面积的设计 | 第51-52页 |
| ·艺设计 | 第52-55页 |
| ·工艺流程 | 第52-53页 |
| ·工艺中的关键点 | 第53-55页 |
| ·版图设计 | 第55-57页 |
| ·工艺与器件仿真 | 第57-67页 |
| ·工艺模型的选择 | 第57-58页 |
| ·VWF优化仿真流程 | 第58-61页 |
| ·阈值电压 | 第61-62页 |
| ·击穿电压 | 第62-63页 |
| ·晶格热 | 第63-65页 |
| ·栅电荷 | 第65-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
