| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-19页 |
| ·SiC材料基本特性和研究背景 | 第12-14页 |
| ·SiC材料基本特性 | 第12-14页 |
| ·SiC功率器件的研究背景 | 第14页 |
| ·SiC功率器件的国内外发展情况 | 第14-17页 |
| ·SiC功率器件国内发展情况 | 第14-15页 |
| ·SiC功率器件国外发展情况 | 第15-17页 |
| ·存在问题及击穿特性研究 | 第17-18页 |
| ·本论文主要工作 | 第18-19页 |
| 第二章 器件分析工具、模型及软件收敛性分析 | 第19-39页 |
| ·ISE介绍 | 第19-20页 |
| ·概要说明 | 第19-20页 |
| ·使用流程 | 第20页 |
| ·物理模型 | 第20-26页 |
| ·三个基本方程 | 第21页 |
| ·输运方程 | 第21-22页 |
| ·常用的物理模型及其模型参数 | 第22-26页 |
| ·收敛性分析和研究 | 第26-39页 |
| ·牛顿算法简介 | 第26-29页 |
| ·收敛性判别参数分析 | 第29-30页 |
| ·收敛性问题的解决思路 | 第30-31页 |
| ·收敛性判别参数分析的验证 | 第31-38页 |
| ·结论 | 第38-39页 |
| 第三章 新型4H-SiC阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管研究 | 第39-55页 |
| ·引言 | 第39-44页 |
| ·器件反向击穿电压 | 第39-40页 |
| ·RESURF技术 | 第40-44页 |
| ·器件结构 | 第44-45页 |
| ·单RESURF肖特基二极管(SR-SBD)击穿特性研究 | 第45-48页 |
| ·阳极凹槽D-RESURF肖特基二极管击穿特性研究 | 第48-53页 |
| ·P降场层浓度对反向阻断特性的影响 | 第48-49页 |
| ·P降场层长度对反向阻断特性的影响 | 第49-53页 |
| ·结论 | 第53-55页 |
| 第四章 4H-SiC MESFETS多浮空金属环击穿电压的研究 | 第55-67页 |
| ·引言 | 第55-57页 |
| ·MESFETs结构 | 第55-56页 |
| ·结终端技术 | 第56-57页 |
| ·器件二维数值模拟分析 | 第57-66页 |
| ·4H-SiC MESFETs多浮空金属环结构 | 第57-58页 |
| ·单金属环结构尺寸对击穿电压的影响 | 第58-61页 |
| ·双金属环尺寸对击穿电压的影响 | 第61-65页 |
| ·多浮空金属环的正向I-V特性研究 | 第65页 |
| ·频率特性研究 | 第65-66页 |
| ·结论 | 第66-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74页 |
