功率集成与0.35微米BCD工艺研究

摘要	第1-3页
Abstract	第3-6页
第一章 引言	第6-11页
·引言	第6-7页
·功率集成技术分类	第7-8页
·BCD功率集成工艺技术发展历史	第8页
·BCD功率集成工艺技术市场应用	第8-10页
·BCD功率集成工艺技术未来发展方向简介	第10-11页
第二章 0.35微米BCD工艺技术简介	第11-17页
·引言	第11页
·0.35微米BCD技术基本器件	第11页
·0.35微米BCD技术基本工艺	第11-16页
·Bipolar工艺	第11-14页
·CMOS工艺	第14页
·DMOS工艺	第14-16页
·双扩散DMOS工艺	第14-15页
·自对准DMOS工艺	第15-16页
·0.35微米BCD工艺的市场定位与竞争能力	第16-17页
第三章 0.35微米BCD工艺技术难点剖析	第17-23页
·引言	第17页
·导通电阻与击穿电压平衡	第17-19页
·DMOS作为功率器件的安全工作区与可靠性问题	第19-22页
·电场安全工作区	第20-21页
·热安全工作区	第21页
·热载流子安全工作区	第21页
·可靠性问题	第21-22页
·ESD可靠性	第21页
·DV/DT可靠性	第21-22页
·结论	第22-23页
第四章 0.35微米BCD工艺技术难点解决方案	第23-35页
·导通电阻与击穿电压平衡	第23-31页
·DMOS作为功率器件的安全工作区与可靠性问题	第31-35页
第五章 BCD工艺技术现状及发展趋势	第35-38页
·高压BCD的现状及展望	第36页
·高密度BCD工艺技术现状及展望	第36页
·高功率BCD工艺技术现状及展望	第36-38页
第六章 总结	第38-39页
参考文献	第39-40页