叠栅MOSFET的结构设计与特性研究

摘要	第1-5页
Abstract	第5-8页
目录	第8-10页
第一章 绪论	第10-24页
·CMOS器件的现状	第12-14页
·纳米材料发展	第14-17页
·材料的发展现况与简评	第14-15页
·信息材料发展的近期对策	第15-17页
·新结构器件的出现与应用	第17-22页
·基于栅工程器件研究	第17-18页
·叠栅MOSFET的设计及其应用前景	第18-22页
·本文主要工作	第22-23页
·短沟道叠栅MOSFET阈值电压的建模与模拟	第22-23页
·叠栅MOSFET的电流特性建模与模拟	第23页
·本章小结	第23-24页
第二章 叠栅MOSFET电压特性建模与仿真	第24-47页
·长沟道单栅MOSFET阈值电压特性模拟与验证	第24-26页
·叠栅MOSFET的特性模拟验证	第26-33页
·叠栅MOSFET的阈值电压特性	第26-30页
·叠栅MOSFET栅电容特性	第30-33页
·短沟道效应对器件的影响	第33-46页
·与L相关单栅MOSFET阈值电压的理论模型建立	第34-40页
·与L相关叠栅MOSFET阈值电压理论模型建立	第40-46页
·本章小结	第46-47页
第三章 叠栅MOSFET的直流电压方程	第47-58页
·叠栅非饱和区直流电流电压方程	第47-52页
·叠栅MOSFET的栅电容的等效	第48页
·叠栅MOSFET的漏极电流一般表达式	第48-49页
·沟道电子的电荷面密度	第49-50页
·漏端电流的精确表达式	第50-51页
·漏极电流表达式的近似	第51-52页
·叠栅MOSFET的线性区与饱和区	第52-54页
·线性区	第52-53页
·饱和区	第53-54页
·亚阈值区	第54-57页
·本章小结	第57-58页
第四章 总结	第58-60页
参考文献	第60-64页
致谢	第64-65页
攻读学位期间发表的学术论文	第65-66页