纳米CMOS器件的NBTI效应及其物理模型
| 目录 | 第1-3页 |
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第5-10页 |
| ·可靠性研究的背景和意义 | 第5页 |
| ·纳米CMOS器件的可靠性问题 | 第5-7页 |
| ·NBTI的研究现状 | 第7-9页 |
| ·本论文的主要内容及安排 | 第9-10页 |
| 第二章 NBTI的测量方法和实验现象 | 第10-19页 |
| ·直流Id-Vg测量 | 第10-12页 |
| ·快速Id-Vg测量 | 第12-15页 |
| ·电荷泵浦测量 | 第15-19页 |
| 第三章 NBTI的物理起源和理论模型 | 第19-41页 |
| ·NBTI的物理起源 | 第19-21页 |
| ·界面态产生-恢复模型:反应扩散(RD)模型 | 第21-31页 |
| ·RD模型微观图像 | 第21-22页 |
| ·RD模型的方程描述 | 第22-23页 |
| ·RD模型的近似解析解 | 第23-26页 |
| ·RD模型的数值解 | 第26-31页 |
| ·扩展的RD模型 | 第31-38页 |
| ·带吸收或者反射边界条件的RD模型 | 第32-34页 |
| ·界面态初始值效应 | 第34-35页 |
| ·测量延迟的影响 | 第35-36页 |
| ·与实验的比较 | 第36-38页 |
| ·关于RD模型的小结 | 第38页 |
| ·空穴俘获-释放模型 | 第38-41页 |
| 第四章 NBTI对工艺的依赖关系 | 第41-45页 |
| ·栅氧中的氢和氘对NBTI的影响 | 第41-42页 |
| ·温度的影响 | 第42-43页 |
| ·氮的影响 | 第43页 |
| ·NBTI最小化 | 第43-45页 |
| 第五章 总结 | 第45-46页 |
| 附录1 RD模型数值解程序1 | 第46-49页 |
| 附录2 RD模型数值解程序2 | 第49-52页 |
| 附录3 空穴俘获-释放模型的数值解程序 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-60页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
