| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-12页 |
| ·论文背景和研究意义 | 第9-10页 |
| ·LDMOS模型发展状况 | 第10-11页 |
| ·论文工作内容和章节安排 | 第11-12页 |
| 第二章 LDMOS及其模型研究发展 | 第12-21页 |
| ·LDMOS的结构工艺及耐压原理 | 第12-14页 |
| ·LDMOS的基本结构 | 第12-13页 |
| ·LDMOS工艺流程 | 第13-14页 |
| ·LDMOS的耐压原理 | 第14页 |
| ·LDMOS渐变沟道模型 | 第14-20页 |
| ·数值方法应用薄层电荷模型 | 第15-17页 |
| ·基于EKV模型的横向非均匀掺杂沟道模型 | 第17-18页 |
| ·MM20沟道非均匀掺杂模型 | 第18-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 LDMOS渐变沟道MEDICI仿真 | 第21-28页 |
| ·二维器件仿真软件MEDICI | 第21-22页 |
| ·LDMOS渐变沟道器件模型 | 第22-27页 |
| ·横向渐变沟道与均匀掺杂沟道器件描述 | 第22-23页 |
| ·仿真结果对比与分析 | 第23-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 LDMOS横向渐变沟道表面势模型 | 第28-35页 |
| ·沟道杂质分布函数 | 第28-29页 |
| ·内建电场V_(bi) | 第29-32页 |
| ·横向渐变沟道表面势方程 | 第32-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第五章 基于表面势的LDMOS横向渐变沟道电流模型 | 第35-52页 |
| ·基于表面势的V_K电势分析 | 第35-39页 |
| ·LDMOS二维仿真器件模型 | 第35-37页 |
| ·V_K随V_(GS)、V_(DS)变化的趋势 | 第37-39页 |
| ·基于表面势的渐变沟道电流模型推导 | 第39-45页 |
| ·LDMOS沟道薄层电荷模型 | 第39-42页 |
| ·LDMOS渐变沟道电流模型 | 第42-44页 |
| ·迁移率模型 | 第44-45页 |
| ·模型验证 | 第45-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 附录 | 第57-59页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 答辩委员会对论文的评定意见 | 第61页 |