| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 1 功率集成技术概述 | 第8-13页 |
| ·工艺集成技术 | 第8页 |
| ·BCD工艺发展的技术方向和趋势 | 第8-12页 |
| ·BCD工艺发展的技术方向 | 第9-11页 |
| ·BCD工艺新兴技术发展趋势 | 第11-12页 |
| ·本文所做的工作 | 第12-13页 |
| 2 高压工艺流程的实现 | 第13-17页 |
| ·与标准CMOS工艺兼容的横向高压器件 | 第13-14页 |
| ·高压器件的工艺实现 | 第14-16页 |
| ·实现的高压工艺流程 | 第16-17页 |
| 3 高压器件的设计 | 第17-36页 |
| ·RESURF技术原理 | 第17-19页 |
| ·理论分析 | 第19-23页 |
| ·具有降场层的Double RESURF LDMOS | 第23-32页 |
| ·器件结构和参数设计 | 第23-25页 |
| ·器件仿真 | 第25-29页 |
| ·器件优化 | 第29-32页 |
| ·双阱Double RESURF LDMOS | 第32-36页 |
| ·器件参数分析 | 第33页 |
| ·器件模拟结果 | 第33-36页 |
| 4 高压互连以及电路实现 | 第36-46页 |
| ·高压互联 | 第36-41页 |
| ·自屏蔽(Self-shielding)结构 | 第37-40页 |
| ·分离RESURF(Divided RESURF)结构 | 第40-41页 |
| ·电路实现 | 第41-46页 |
| ·半桥转换器电平位移电路 | 第41-44页 |
| ·高压LDMOS管的布局 | 第44-46页 |
| 5 并联器件模型分析 | 第46-61页 |
| ·并联功率MOSFET稳态电-热模型 | 第46-56页 |
| ·并联MOSFET的稳态热平衡模型 | 第47-49页 |
| ·一般稳态热平衡情况 | 第49-51页 |
| ·最差稳态热平衡情况 | 第51-55页 |
| ·设计问题 | 第55-56页 |
| ·失配对并联功率MOSFET电流不平衡的影响 | 第56-61页 |
| ·导通电阻失配造成的电流不平衡极限 | 第56-58页 |
| ·阈值电压失配造成的电流不平衡极限 | 第58-61页 |
| 6 总结与展望 | 第61-62页 |
| ·总结 | 第61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |