| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| ·功率MOSFET 的发展概况 | 第10-11页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·国内外研究及应用现状 | 第12页 |
| ·论文的主要工作及意义 | 第12-14页 |
| 第二章 MOSFET 的结构及特性 | 第14-24页 |
| ·功率MOSFET 的分类 | 第14-16页 |
| ·功率MOSFET 的直流电特性 | 第16-18页 |
| ·功率MOSFET 的开关特性 | 第18-21页 |
| ·开关特性的物理模型 | 第18-20页 |
| ·开关特性的波形分析 | 第20-21页 |
| ·功率MOSFET 的热特性 | 第21-24页 |
| 第三章 UIS 机理及测试 | 第24-28页 |
| ·UIS 测试相关术语 | 第24页 |
| ·UIS 测试原理及方法 | 第24-26页 |
| ·UIS 测试结果分析 | 第26-28页 |
| 第四章 UIS 对功率MOSFET 电特性影响及可靠性验证 | 第28-37页 |
| ·UIS 对功率MOSFET 电学特性影响 | 第28-32页 |
| ·UIS 对BV 的影响 | 第28-29页 |
| ·UIS 对Ids 的影响 | 第29-30页 |
| ·UIS 对失效结果的影响 | 第30-32页 |
| ·UIS 对电特性影响的可靠性验证 | 第32-36页 |
| ·功率MOSFET 的可靠性验证原理及方法 | 第32-35页 |
| ·UIS 相关的可靠性验证 | 第35-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第五章 UIS 热特性分析工具——ANSYS | 第37-42页 |
| ·热特性分析工具 | 第37-38页 |
| ·ANSYS 的热特性分析 | 第38-40页 |
| ·热传递种类 | 第38-39页 |
| ·热特性分析类型 | 第39页 |
| ·热特性分析单元 | 第39-40页 |
| ·稳态热特性分析 | 第40-41页 |
| ·前处理 | 第40页 |
| ·计算求解 | 第40页 |
| ·后处理 | 第40-41页 |
| ·瞬态热特性分析 | 第41-42页 |
| ·前处理 | 第41页 |
| ·加载载荷并计算求解 | 第41页 |
| ·后处理 | 第41-42页 |
| 第六章 功率MOSFET 的UIS 热特性分析 | 第42-52页 |
| ·UIS 的热特性模型 | 第42-44页 |
| ·理论分析 | 第42页 |
| ·模型构造及试验总结 | 第42-44页 |
| ·UIS 时功率MOSFET 内部结温的计算 | 第44-52页 |
| ·决定Tj 的因素 | 第44-45页 |
| ·功耗P 的计算 | 第45-46页 |
| ·热阻的测量 | 第46-47页 |
| ·UIS 过程Tj 的计算 | 第47-50页 |
| ·结温研究过程中应注意的问题 | 第50-52页 |
| 第七章 UIS 失效机理及其失效分析 | 第52-62页 |
| ·功率MOSFET 的失效模式及机理 | 第52-54页 |
| ·器件本身缺陷引起的失效 | 第52-53页 |
| ·实际应用引起的失效 | 第53-54页 |
| ·UIS 失效机制 | 第54-56页 |
| ·UIS 的失效分析 | 第56-62页 |
| ·UIS 热击穿的失效分析 | 第57-59页 |
| ·UIS 引起的可靠性失效分析 | 第59-62页 |
| 第八章 总结 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |