| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·半导体产业的发展 | 第8-10页 |
| ·特征尺寸缩小带来的影响 | 第10-12页 |
| ·三种等比例缩小定律 | 第10-11页 |
| ·MOSFET面临的挑战 | 第11-12页 |
| ·新型的MOSFET结构 | 第12-14页 |
| ·栅工程的改进 | 第13-14页 |
| ·沟道工程的改进 | 第14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 DDPGLDD-MOS器件的结构以及小信号分析 | 第16-29页 |
| ·DDPG-LDDMOS的结构设计 | 第16-21页 |
| ·轻掺杂漏极(LDD)的结构设计 | 第16-18页 |
| ·异质栅结构的设计 | 第18页 |
| ·DDPG-LDD MOS的结构设计以及基本工艺参数 | 第18-21页 |
| ·MOSFET的小信号等效电路模型 | 第21-28页 |
| ·小信号模型简介 | 第21-23页 |
| ·S参数的测量 | 第23-24页 |
| ·寄生电容的提取 | 第24-25页 |
| ·寄生电感和寄生电阻的提取 | 第25-26页 |
| ·本征元件参数的提取 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 DDPGLDD-MOSFET静态特性的研究 | 第29-42页 |
| ·DDPG-LDDMOS电场与电势的分析 | 第29-35页 |
| ·关于电势的二维解析模型 | 第29-33页 |
| ·关于电场的二维解析模型 | 第33-34页 |
| ·电场电势的MEDICI模拟结果 | 第34-35页 |
| ·DDPG-LDDMOS阈值电压的分析 | 第35-39页 |
| ·阈值电压随S-gate和D-gate栅长比的变化 | 第36-37页 |
| ·阈值电压随D-gate的N型杂质掺杂浓度的变化 | 第37-38页 |
| ·阈值电压随S-gate的P型杂质掺杂浓度的变化 | 第38-39页 |
| ·DDPG-LDDMOS与常规MOS驱动电流的比较 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 DDPGLDD-MOSFET的截止频率的研究 | 第42-53页 |
| ·器件尺寸减小对高频性能的影响 | 第42-45页 |
| ·高频特性的参数 | 第42-43页 |
| ·截止频率的理论推导 | 第43-45页 |
| ·截止频率的模拟分析 | 第45-51页 |
| ·频率特性与S-gate和D-gate栅长比的关系 | 第45-46页 |
| ·频率特性与栅长的关系 | 第46-47页 |
| ·栅氧化层厚度对截止频率的影响 | 第47-48页 |
| ·源漏结深对截止频率的影响 | 第48-49页 |
| ·衬底掺杂浓度对截止频率的影响 | 第49-51页 |
| ·温度对截止频率的影响 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 总结语 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第60-61页 |
| 附录 MEDICI软件模拟的工艺参数和仿真程序 | 第61-66页 |
