| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-36页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·栅氧化层减薄的限制 | 第9-13页 |
| ·栅介质可靠性问题 | 第13-26页 |
| ·经时击穿(TDDB) | 第13-15页 |
| ·热载流子效应(HCE) | 第15-18页 |
| ·负偏压温度不稳定性(NBTI) | 第18-26页 |
| ·目前NBTI研究存在的问题及本论文主要工作 | 第26-28页 |
| 参考文献 | 第28-36页 |
| 第二章 阈值电压的直流和快速测量方法 | 第36-56页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·直流(DC)I_d-V_g测量 | 第36-38页 |
| ·快速I_d-V_g测量方法 | 第38-49页 |
| ·不同测量时间的阈值电压漂移 | 第49-52页 |
| ·其它快速测量方法 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 第三章 直流电流电压(DCIV)测量及其应用 | 第56-69页 |
| ·引言 | 第56页 |
| ·DCIV测量原理 | 第56-60页 |
| ·DCIV表征等离子体氮化栅介质pMOSFETs | 第60-64页 |
| ·快速DCIV测量 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第四章 传统电荷泵和On-the-fly Interface Trap表征方法 | 第69-114页 |
| ·引言 | 第69页 |
| ·传统电荷泵测量方法 | 第69-84页 |
| ·电荷泵测量的设置 | 第69-70页 |
| ·三种脉冲测量的扫描模式 | 第70-73页 |
| ·电荷泵方法测量原理 | 第73-79页 |
| ·非稳态动力学—E_(em,h)和E_(em,e) | 第79-84页 |
| ·On-the-fly Interface Trap表征技术 | 第84-104页 |
| ·OFIT测量原理及电路实现 | 第84-95页 |
| ·OFIT测量方法表征界面陷阱的产生 | 第95-99页 |
| ·OFIT方法与其它表征方法测量结果的比较 | 第99-102页 |
| ·阈值电压漂移△V_(TH)中△V_(TH)~(IT)和△V_~(TH)~(OX)的区分 | 第102-104页 |
| ·反应-扩散模型(R-D model) | 第104-111页 |
| ·本章小节 | 第111页 |
| 参考文献 | 第111-114页 |
| 第五章 热氮化和等离子体氮化栅介质pMOSFETs NBTI研究 | 第114-166页 |
| ·引言 | 第114-116页 |
| ·器件制备和测量 | 第116-117页 |
| ·界面陷阱的产生 | 第117-135页 |
| ·PNO和TNO器件的界面陷阱产生的比较 | 第117-120页 |
| ·界面陷阱的恢复比例 | 第120-123页 |
| ·有无界面陷阱恢复? | 第123-128页 |
| ·界面陷阱产生机理 | 第128-130页 |
| ·界面陷阱产生的激活能 | 第130-135页 |
| ·NBTI退化慢的I_d-V_g测量 | 第135-139页 |
| ·界面陷阱产生和氧化层陷阱电荷的区分 | 第139-149页 |
| ·不同温度的快速脉冲I_d-V_g测量 | 第139-143页 |
| ·快速脉冲I_d-V_g测量的电压应力关系 | 第143-146页 |
| ·PNO和TNO器件NBTI退化△V_(TH)中△V_(TH)~(IT)和△V_(TH)~(OX)的区分 | 第146-149页 |
| ·第一性原理计算 | 第149-158页 |
| ·量子化学Gaussian 03W计算软件 | 第149-150页 |
| ·其它小组第一性原理计算 | 第150-155页 |
| ·密度泛函理论研究NBTI | 第155-158页 |
| ·本章小节 | 第158-159页 |
| 参考文献 | 第159-166页 |
| 第六章 总结与展望 | 第166-169页 |
| 博士期间论文发表情况 | 第169-171页 |
| 致谢 | 第171-172页 |
